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公司新聞
標題
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力晶科技:公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關
公開資訊觀測站
2017/7/7
公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關資訊 1.事實發生日:106/07/072.發生緣由:鉅晶電子股份有限公司董事會決議通過參與廠房標售案。3.因應措施:無4.其他應敘明事項:依董事會決議內容授權董事長執行投標相關事宜,交易確定後再行補充公告。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告子公司鉅晶電子股份有限公司減資事宜
公開資訊觀測站
2015/5/4
1.事實發生日:104/05/042.發生緣由:鉅晶電子於104年5月4日經董事會決議,為健全財務結構及促進資金之更佳運用,擬辦理減資新台幣500,000,000元以退還股東股款,共計消除已發行股份50,000,000股,即每仟股銷除166股,減資比例為16.67%。減資後不滿一股之畸零股,按面額比率計算給付現金(元以下捨去),所有不滿一股之畸零股授權由董事長洽特定人以面額認購。鉅晶電子原實收資本額為新台幣3,000,000,000元,減資後實收資本為新台幣2,500,000,000元。。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜
公開資訊觀測站
2014/10/9
1.事實發生日:103/10/082.發生緣由:Global Powertec CO., LTD.為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率,擬以103年10月8日為基準日,辦理減資新台幣588,473,126元以退還股東股款,本公司減少資本前實收資本額為美金19,754,500元,依歷次增資匯率換算,折合新台幣588,473,449元,每股面額為美金10元,已發行股份總數為1,975,450股,辦理減少資本新台幣588,473,126元,消除1,975,449股後,實收資本額為美金10元,折合新台幣323元,已發行股份總數為1股。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜
公開資訊觀測站
2014/10/1
1.事實發生日:103/10/012.發生緣由:世仁投資於103年10月1日經董事會決議,為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率,擬辦理減資新台幣954,500,000元以退還股東股款,共計消除已發行 股份95,450,000股,依股東所持股份比例減少之。世仁投資原實收資本額為新台幣3,499,087,200元,減資後實收資本為新台幣2,544,587,200元。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:世仁投資預計減資基準日:待股東會決議後另召開董事會訂定之。<摘錄公開資訊觀測站>
重要公告
標題
公告類別
日期
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592940專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:用於非揮發性記憶裝置的感測電路以及非揮發性記憶裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 160,8004.其他應敘明事項:一種感測電路,被設置於包含鎖存器的頁面緩衝器中,並且感測資料,所述鎖存器是在對非揮發性記憶裝置的記憶胞元寫入或讀出資料時暫時保存資料,該感測電路包括:第1開關元件及疊閘型控制元件,串聯連接於第1訊號線與鎖存器的第1端子之間;以及第2開關元件,連接於第1開關元件與疊閘型控制元件之間,在藉由感測致能訊號來使第1開關元件導通的感測開始前,疊閘型控制元件的浮動閘極的電壓設定為將從疊閘型控制元件的浮動閘極所見的臨限值電壓加上規定電壓所得的電壓值,之後感測記憶胞元的資料。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I598602專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體裝置、測試裝置及測試系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 70,9004.其他應敘明事項:提供一種與先前技術相比電路構成簡單且可高精確度觀測內部電壓波形的半導體裝置,所述半導體裝置包括:測試模式的控制電路,其檢測半導體裝置在既定的觀測期間中進行動作時的內部電壓而進行波形觀測;以及比較單元,其在所述觀測期間中將所述內部電壓與既定的基準電壓進行比較而輸出比較結果訊號,使所述基準電壓變化而進行所述比較,並將所述觀測期間的內部電壓的電壓波形的比較結果訊號輸出到測試裝置。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593093專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,9004.其他應敘明事項:一種半導體元件,包括:基底、感測器、介電層以及光導管結構。感測器位於基底中。介電層位於基底上。光導管結構填入介電層中的溝渠中。光導管結構對應於感測器。光導管結構具有漸變折射率。漸變折射率從光導管結構的中心往外圍區域漸減。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593062專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其操作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 82,3004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體,包括記憶單元陣列。記憶單元陣列設置於基底的第二區。次控制閘極線連接記憶單元的控制閘極。第一位元組選擇單元及第二位元組選擇單元分別設置於基底的第一區及第三區。第二位元組選擇單元的導電型態不同於第一位元組選擇單元。第一主控制閘極線經由第一位元組選擇單元而連接次控制閘極線。第二主控制閘極線經由第二位元組選擇單元而連接次控制閘極線。第一位元組選擇閘極線連接第一位元組選擇單元的閘極。第二位元組選擇閘極線連接第二位元組選擇單元的閘極。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592941專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導体記憶裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 39,5004.其他應敘明事項:本發明降低半導體記憶裝置再新時的大的峰值電流IDDP,並且確保位元線的感測放大器容限為規定值以上。半導體記憶裝置在多條字元線與多條位元線的各交叉點處分別具有記憶胞元,且具備從來自多個記憶胞元的多條資料線讀出資料的感測放大器、及具有從多條資料線鎖存資料的第1電晶體的感測放大器鎖存電路,其中,與多條字元線平行的相同行線的多個感測放大器被分割為多個感測放大器電路群組,所述經分割的感測放大器電路群組更包括第2電晶體,所述第2電晶體基於從資料讀出時的字元線啟動開始延遲的鎖存信號,來鎖存讀出資料。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I598880專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其抹除方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,6004.其他應敘明事項:本發明的非揮發性半導體記憶裝置包括控制電路,所述控制電路藉由對包含設置在多個字元線與多個位元線的各交叉點上的記憶胞元的記憶胞元陣列的規定的塊施加規定的抹除電壓而進行資料的抹除,且所述控制電路藉由對所述記憶胞元陣列的緣端部以外的偶數的字元線及奇數的字元線施加互不相同的字元線電壓,對所述記憶胞元陣列的緣端部的字元線施加與所述字元線電壓不同的電壓,將所述抹除電壓施加至記憶胞元來抹除資料。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592759專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:結構上的光阻圖案製程2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 50,6004.其他應敘明事項:一種結構上的光阻圖案製程,包括:提供基底,此基底包括第一區以及多個第二區,其中第二區位於第一區的相對兩側,且多個突起圖案形成於基底上;於第一區上形成光阻圖案,其中當突起圖案至少位於第一區上且與待形成的光阻圖案的位置重疊時,在形成光阻圖案之前,移除突起圖案。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593120專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電容器結構及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 59,8004.其他應敘明事項:一種電容器結構的製造方法,包括以下步驟。於第一導體層上形成堆疊結構,其中堆疊結構從第一導體層起依序包括第一介電層、蝕刻終止層與第二介電層。於堆疊結構中形成介層窗,其中介層窗包括阻障層與導電插塞,且介層窗與第一導體層電性連接。於第二介電層中形成第一開口,其中第一開口環繞介層窗。移除導電插塞,以形成第二開口。於第一開口與第二開口中形成電容結構,其中電容結構包括下電極、電容介電層以及上電極,且下電極與第一導體層電性連接。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592810專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:衡量二元資料於時間等級的群聚級別的無母數分析方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 47,6004.其他應敘明事項:一種衡量二元資料於時間等級的群聚級別的無母數分析方法。將工程資料中的樣本集合分成目標組與對照組,並按照時間順序來對各樣本設定等級。自目標組中,獲得最小等級與最大等級,藉此來設定特徵區間。在特徵區間中,計算目標組的等級平均值與對照組的等級平均值。在建立虛擬樣本集合之後,基於目標組的等級平均值與對照組的等級平均值的比較結果,以及特徵區間的最大等級與最小等級,將虛擬樣本集合納入分析資料集合,並重新設定新的等級,而獲得調整後資料。對調整後資料執行曼-惠特尼U檢定,以獲得二元資料於時間等級的群聚級別指標。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I599028專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:影像感測器及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 95,5404.其他應敘明事項:本發明提供了一種影像感測器,其包括一感光元件、一內連線結構、一介電疊層、一反射層以及一阻障層。感光元件設置於一基底內,而內連線結構設置於基底表面。介電疊層設置於基底表面並覆蓋感光元件,其中內連線結構設置於介電疊層內,且介電疊層之頂面包括至少一突起部分位於感光元件之一側。反射層覆蓋 介電疊層之突起部分,且反射層之剖面形狀包括一倒V字形圖案或包括一倒U字形圖案。阻障層覆蓋於反射層上。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得美國專利局核發US 9709335專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:爐管製程的派工控制方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/183.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 164,5714.其他應敘明事項:一種爐管製程的派工控制方法,包括下列步驟。在多批晶圓進入爐管之前,算出各批晶圓的特性變異值。將多批晶圓依照特性變異值的大小進行排序。將多批晶圓依照特性變異值由大到小的順序對應於爐管中造成特性變異值變小到變大的多個位置擺放在爐管中。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得美國專利局核發US 9704898專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:具有奈米腔的集成生物感測器及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 382,4404.其他應敘明事項:一種生物感測器,包含有一基底,其上設有一光感測區。在基底上設有一第一介電層、一擴散阻擋層、一第二介電層。第二介電層中設有一溝槽凹陷結構,其內設有一濾光材料層,被一上蓋層封蓋住。上蓋層上設有一第一鈍化層以及一奈米腔結構層,其中於奈米腔結構層中,設有一奈米腔。於奈米腔的側壁及底部設有一第二鈍化層。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得美國專利局核發US 9735228專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/08/153.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 280,9784.其他應敘明事項:一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構,包含有一基底,其中設有一導電區域;一金屬層間介電層,設於基底上;一電容溝渠,貫穿金屬層間介電層,顯露出導電區域;一電容下電極結構,設於電容溝渠內,包括一第一下電極及一第二下電極,其中第一下電極環繞著第二下電極,且第一下電極直接接觸導電區域;一導電支撐底座,位於電容溝渠內,固定並電連接第一下電極及第二下電極的底部;一電容介電層,順形的設置在第一下電極、第二下電極及導電支撐底座的表面上;以及一電容上電極,設置在電容介電層上。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得美國專利局核發US 9704579專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其抹除方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 234,9234.其他應敘明事項:本發明的非揮發性半導體記憶裝置包括控制電路,所述控制電路藉由對包含設置在多個字元線與多個位元線的各交叉點上的記憶胞元的記憶胞元陣列的規定的塊施加規定的抹除電壓而進行資料的抹除,且所述控制電路藉由對所述記憶胞元陣列的緣端部以外的偶數的字元線及奇數的字元線施加互不相同的字元線電壓,對所述記憶胞元陣列的緣端部的字元線施加與所述字元線電壓不同的電壓,將所述抹除電壓施加至記憶胞元來抹除資料。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得日本專利局核發JP 6166810專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導体記憶裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/193.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 177,4664.其他應敘明事項:本發明降低半導體記憶裝置再新時的大的峰值電流IDDP,並且確保位元線的感測放大器容限為規定值以上。半導體記憶裝置在多條字元線與多條位元線的各交叉點處分別具有記憶胞元,且具備從來自多個記憶胞元的多條資料線讀出資料的感測放大器、及具有從多條資料線鎖存資料的第1電晶體的感測放大器鎖存電路,其中,與多條字元線平行的相同行線的多個感測放大器被分割為多個感測放大器電路群組,所述經分割的感測放大器電路群組更包括第2電晶體,所述第2電晶體基於從資料讀出時的字元線啟動開始延遲的鎖存信號,來鎖存讀出資料。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2546050專
其他
2017/9/29
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2546050專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:CMOS影像感測單元及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/073.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$67,4884.其他應敘明事項:一種CMOS影像感測單元及其製造方法。所述影像感測單元包括感光二極體、轉移閘、重置閘、源極隨耦閘、轉移閘與重置閘之間的浮汲極區、以及PIP型電容器,其中PIP型電容器的複晶矽下電極與浮汲極區和源極隨耦閘電性連接,而兼作為浮汲極區和源極隨耦閘之間的內連線。所述製造方法包括:在浮汲極區和源極隨耦閘上形成接觸窗,然後形成PIP型電容器,其複晶矽下電極與各接觸窗連接。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2590480專
其他
2017/9/29
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2590480專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/08/183.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 78,7524.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體及其製作方法。此非揮發性記憶體包括基底、多個字元線、多個選擇線以及摻雜區。基底具有記憶胞區與二個選擇線區。選擇線區分別位於記憶胞區的相對兩側。字元線設置於記憶胞區中。選擇線設置於選擇線區中。每一字元線的線寬與每一選擇線的線寬相同。相鄰的字元線之間的間距、相鄰的選擇線之間的間距以及相鄰的選擇線與字元線之間的間距相同。摻雜區位於每一字元線兩側以及每一選擇線區的兩側的基底中。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592936專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:內部電源電壓輔助電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 119,9004.其他應敘明事項:本發明提供一種內部電源電壓輔助電路,用於內部電源電壓產生電路,內部電源電壓產生電路包括:差動放大器,將供給至負載電路的內部電源電壓與規定的基準電壓進行比較,並從輸出端子輸出控制電壓;及驅動電晶體,根據控制電壓來驅動外部電源電壓。內部電源電壓輔助電路包括:時序檢測電路,檢測資料信號的變化,產生並輸出檢測信號;及內部電源電壓輔助供給電路,基於檢測信號,輔助性地供給針對負載電路的電流。因此,可穩定地輸出內部電源電壓,而消耗電力不會大幅增大。本發明亦提供一種半導體記憶裝置及半導體裝置。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592939專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電晶體測試電路及方法、半導體記憶裝置以及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 146,7004.其他應敘明事項:本發明提供可對每個晶片高準確度地測定半導體裝置中所含的電晶體的擊穿電壓的電晶體測試電路等。電晶體測試電路,其設置於半導體晶片,測定MOS電晶體的擊穿電壓,該電晶體測試電路包括:電壓施加裝置,對所述MOS電晶體的汲極、源極及閘極中的至少其中之一施加預定的測試電壓;電流檢測電路,當施加所述測試電壓時,對從所述MOS電晶體流至負載電路的電流進行檢測;電流鏡電壓輸出電路,產生與檢測出的所述電流對應的鏡像電流並輸出;以及比較器電路,將所述鏡像電流與預定的基準電流進行比較並輸出比較結果訊號。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593075專利
其他
2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:金屬氧化物金屬電容器電路及其半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 71,2004.其他應敘明事項:本發明提供一種使用形成於基板上的金屬電極藉由多個電容器形成的電容器電路,以使得與習知技術相比可以更精確地調整電容器的電容。MOM電容器包含分別藉由透過基板上的絕緣薄膜面向彼此的多對金屬電極形成的多個MOM(金屬氧化物金屬)電容器。MOM電容器電路是以MOM電容器的金屬電極對中的每一者經由連接導體連接至第一端子及第二端子的方式並藉由至少一個電容器元件形成;以及至少一個開關元件,其連接至所述多個金屬電極以及第一端子及第二端子中的至少一者,其中所述MOM電容器電路的電容是藉由接通/斷開所述開關元件而進行調整。<摘錄公開資訊觀測站>
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訪客留言─力晶
來看看力晶這檔股票
當年黯然下櫃的力晶,在經歷轉型成晶圓代工加上近年DRAM翻身後,股價越來越亮麗,不知後續力晶的表現是否能如市場所言持續保持獲利,股價能否持續有好表現,還請各位大大不吝提供建議,以為小妹買賣參考,甘溫呦^^
2015-03-17 10:42
小玉
回覆數(0)
買力晶
要賣的請聯絡!
2013-05-30 22:31
venshian
回覆數(0)
我要詢價,力晶目前的行情?
我要詢價
2012-12-13 10:29
ArBin
回覆數(0)
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