友站連結
YI-DUO-BAO 益多寶
如何回答孩子3000問, 兒童知識
鴻準專業
未上市
股票網
專業未上市網在 Plurk
專業未上市股票網 | Facebook
專業未上市股票 部落格
新台灣未上市股票討論園地
未上市股票投資理財園地
安琪拉 Angela's 未上市股票部落格
嘉辰未上市股票部落格
未上市股票專業網~~Chisty部落格
讓您取得最新的未上市資訊
鴻準專業未上市交易平台
這是我David的部落格
蓁~未上市部落格
小姜未上市部落格
首頁
»
個股名稱查詢
»
力晶
» 個股新聞
公司新聞
標題
訊息來源
日期
力晶科技:公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關
公開資訊觀測站
2017/7/7
公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關資訊 1.事實發生日:106/07/072.發生緣由:鉅晶電子股份有限公司董事會決議通過參與廠房標售案。3.因應措施:無4.其他應敘明事項:依董事會決議內容授權董事長執行投標相關事宜,交易確定後再行補充公告。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告子公司鉅晶電子股份有限公司減資事宜
公開資訊觀測站
2015/5/4
1.事實發生日:104/05/042.發生緣由:鉅晶電子於104年5月4日經董事會決議,為健全財務結構及促進資金之更佳運用,擬辦理減資新台幣500,000,000元以退還股東股款,共計消除已發行股份50,000,000股,即每仟股銷除166股,減資比例為16.67%。減資後不滿一股之畸零股,按面額比率計算給付現金(元以下捨去),所有不滿一股之畸零股授權由董事長洽特定人以面額認購。鉅晶電子原實收資本額為新台幣3,000,000,000元,減資後實收資本為新台幣2,500,000,000元。。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜
公開資訊觀測站
2014/10/9
1.事實發生日:103/10/082.發生緣由:Global Powertec CO., LTD.為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率,擬以103年10月8日為基準日,辦理減資新台幣588,473,126元以退還股東股款,本公司減少資本前實收資本額為美金19,754,500元,依歷次增資匯率換算,折合新台幣588,473,449元,每股面額為美金10元,已發行股份總數為1,975,450股,辦理減少資本新台幣588,473,126元,消除1,975,449股後,實收資本額為美金10元,折合新台幣323元,已發行股份總數為1股。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜
公開資訊觀測站
2014/10/1
1.事實發生日:103/10/012.發生緣由:世仁投資於103年10月1日經董事會決議,為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率,擬辦理減資新台幣954,500,000元以退還股東股款,共計消除已發行 股份95,450,000股,依股東所持股份比例減少之。世仁投資原實收資本額為新台幣3,499,087,200元,減資後實收資本為新台幣2,544,587,200元。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:世仁投資預計減資基準日:待股東會決議後另召開董事會訂定之。<摘錄公開資訊觀測站>
重要公告
標題
公告類別
日期
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I566381專利
其他
2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 62,2004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體,包括基底、第一堆疊結構、第二堆疊結構、第五導體層、第一摻雜區與第二摻雜區。第一堆疊結構包括第一導體層與第二導體層。第一導體層與第二導體層依序堆疊於基底上且相互隔離。第二堆疊結構與第一堆疊結構分離設置,且包括第三導體層與第四導體層。第三導體層與第四導體層依序堆疊於基底上且相互連接。第五導體層設置於第一堆疊結構遠離第二堆疊結構的一側的基底上。第一摻雜區設置於第五導體層下方的基底中。第二摻雜區設置於第二堆疊結構遠離第一堆疊結構的一側的基底中。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得美國專利局核發US 9530507專利
其他
2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶裝置與用於非揮發性記憶裝置的寫入電路及方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/033.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 213,0034.其他應敘明事項:一種用於非揮發性記憶裝置的寫入電路,所述非揮發性記憶裝置具備控制電路,該控制電路在進行資料的寫入時,判斷每個記憶胞元的程式化結束,該寫入電路包括:第1開關元件,基於由保存對應的記憶胞元的程式化校驗狀態的記憶元件所保存的資料而受到通斷控制;判斷控制用MOS電晶體,進行程式化校驗的判斷控制;以及第2開關元件,基於判斷控制訊號,將控制判斷控制用MOS電晶體的電壓施加至其閘極,在進行程式化校驗之前,將判斷控制用MOS電晶體的閘極電壓設定成為將判斷控制用MOS電晶體的臨限值電壓加上預設控制電壓值所得的電壓值。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得美國專利局核發US 9537398專利
其他
2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電壓產生電路、調節器電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/033.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 253,1924.其他應敘明事項:本發明的高電壓產生電路包括:電荷泵電路,進行升壓至比電源電壓高的高電壓;以及輸出電壓控制電路,以使經升壓的上述高電壓變成規定目標電壓的方式進行 控制,上述輸出電壓控制電路包括至少2個無偏移比較器電路、或至少1個無偏移比較器電路及至少1個差動放大器,上述無偏移比較器電路包括:耦合電容器,輸入與上述高電壓對應的電壓;差動放大器,將來自上述耦合電容器的電壓與規定的參考電壓進行比較,並將比較結果電壓輸出至上述電荷泵電路;以及多個開關,分別連接於上述差動放大器,用以消除上述差動放大器的偏移。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得美國專利局核發US 9536890專利
其他
2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體電晶體與快閃記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/033.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 263,6314.其他應敘明事項:一種快閃記憶體,設置於基底上。快閃記憶體具有半導體電晶體。此半導體電晶體具有堆疊閘極結構、淡摻雜區與間隙壁。堆疊閘極結構具有依序設置於基底上的閘介電層、第一導體層、介電層以及第二導體層。介電層周圍具有開口使第一導體層電性連接第二導體層。淡摻雜區設置於堆疊閘極結構旁、且位於開口下的基底中。間隙壁設置於堆疊閘極結構側壁。利用控制開口下第一導體層的高度可調整間隙壁的寬度,以及利用介電層作為罩幕層設置淡摻雜區,可增加淡摻雜區裕度,得到良好的電性。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得美國專利局核發US 9589657專利
其他
2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:內部電源電壓輔助電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/03/073.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 323,2564.其他應敘明事項:本發明提供一種內部電源電壓輔助電路,用於內部電源電壓產生電路,內部電源電壓產生電路包括:差動放大器,將供給至負載電路的內部電源電壓與規定的基準電壓進行比較,並從輸出端子輸出控制電壓;及驅動電晶體,根據控制電壓來驅動外部電源電壓。內部電源電壓輔助電路包括:時序檢測電路,檢測資料信號的變化,產生並輸出檢測信號;及內部電源電壓輔助供給電路,基於檢測信號,輔助性地供給針對負載電路的電流。因此,可穩定地輸出內部電源電壓,而消耗電力不會大幅增大。本發明亦提供一種半導體記憶裝置及半導體裝置。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得美國專利局核發US 9576963專利
其他
2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:垂直通道電晶體陣列及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 238,0894.其他應敘明事項:一種垂直通道電晶體陣列,包括多條埋入式位元線、多條位元線接觸窗、多個埋入式字元線與漏電流隔離結構。多個半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。多條埋入式位元線平行設置於半導體基底中,在行方向延伸。多條位元線接觸窗分別設置於埋入式位元線的一側。多個埋入式字元線,平行設置於埋入式位元線上方,在列方向延伸,且隔著閘介電層而連接同一列之半導體柱。漏電流隔離結構設置於埋入式位元線末端部分,以避免相鄰位元線接觸窗之間產生漏電流。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得日本專利局核發JP 6069544專利
其他
2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:鎖存電路以及半導體記憶裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/063.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 160,4974.其他應敘明事項:鎖存電路包括:輸入電路,包含使與感測電壓相應的信號電流流入的輸入用PMOS電晶體;第1反相器,包含第1 PMOS電晶體、第1 NMOS電晶體以及第1節點,所述第1節點將第1 PMOS電晶體與第1 NMOS電晶體予以連接且連接於輸入電路;以及第2反相器,包含第2 PMOS電晶體、第2 NMOS電晶體以及第2節點,所述第2節點將第2 PMOS電晶體與第2 NMOS電晶體予以連接且第1反相器與第2反相器是級聯連接而構成。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得日本專利局核發JP 6097797專利
其他
2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體裝置、測試裝置及測試系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/243.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 244,0264.其他應敘明事項:提供一種與先前技術相比電路構成簡單且可高精確度觀測內部電壓波形的半導體裝置,所述半導體裝置包括:測試模式的控制電路,其檢測半導體裝置在既定的觀測期間中進行動作時的內部電壓而進行波形觀測;以及比較單元,其在所述觀測期間中將所述內部電壓與既定的基準電壓進行比較而輸出比較結果訊號,使所述基準電壓變化而進行所述比較,並將所述觀測期間的內部電壓的電壓波形的比較結果訊號輸出到測試裝置。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得日本專利局核發JP 6084318專利
其他
2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:揮發性半導體記憶裝置、其再新控制電路及方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/033.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 211,1134.其他應敘明事項:一種揮發性半導體記憶裝置的再新控制電路,所述揮發性半導體記憶裝置包括各自具有選擇用電晶體與記憶元件的多個記憶胞元,所述揮發性半導體記憶裝置的再新控制電路包括:第1比較部件,將所述揮發性半導體記憶裝置的與通常記憶用記憶胞元不同的記憶胞元的記憶電壓跟規定的臨界電壓進行比較,並輸出比較結果信號,停止所述記憶胞元的自我再新,直至所述記憶電壓下降至小於規定的臨界電壓為止。此處,所述揮發性半導體記憶裝置的與通常記憶用記憶胞元不同的記憶胞元是形成在與所述通常記憶用記憶胞元的陣列鄰接的區域中。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559450專利
其他
2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:記憶體結構及其操作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 76,0004.其他應敘明事項:本發明提出一種記憶體結構及其操作方法。記憶體結構包括雙向三極體與記憶胞。記憶胞電性連接於雙向三極體。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555131專利
其他
2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:NOR型快閃記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 48,2004.其他應敘明事項:一種NOR型快閃記憶體,包括設置於基底上的記憶胞。記憶胞,包括:堆疊閘極結構、輔助閘極、輔助閘極介電層、淡摻雜區、汲極區。堆疊閘極結構設置於基底上。輔助閘極設置於堆疊閘極結構的第一側的基底上。輔助閘極介電層設置於輔助閘極與基底之間。淡摻雜區設置於輔助閘極下方的基底中,其中藉由於輔助閘極施加一電壓而於輔助閘極下方的基底中形成反轉層以作為源極區。汲極區,設置於堆疊閘極結構的第 二側的基底中,第一側與第二側相對。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555119專利
其他
2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:具有氣隙的結構的形成方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 56,8004.其他應敘明事項:一種具有氣隙的結構的形成方法,包括下列步驟。在基底的圖案區中形成多個圖案。在基底上形成犧牲層,且犧牲層的上表面低於圖案的上表面,而暴露出圖案的多個上部。形成覆蓋犧牲層及圖案的上部的硬罩幕層。對硬罩幕層進行回蝕刻製程,以暴露出圖案區以外的犧牲層,且留在圖案區中的硬罩幕層封住圖案的上部之間的開口。移除犧牲層,而在相鄰兩個圖案之間形成氣隙。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559459專利
其他
2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 47,6004.其他應敘明事項:一種快閃記憶體,包括堆疊閘極結構、第一摻雜區與第二摻雜區、選擇閘極以及閘介電層。堆疊閘極結構設置於基底上,堆疊閘極結構從基底起依序包括穿隧介電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。第一摻雜區與第二摻雜區分別設置於堆疊閘極結構兩側的基底中。選擇閘極設置於堆疊閘極結構下方的基底中的溝渠內,且選擇閘極鄰近第一摻雜區並與第二摻雜區相距一距離。閘介電層設置於選擇閘極與基底之間。穿隧介電層設置於浮置閘極與選擇閘極之間以及於浮置閘極與基底之間。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555120專利
其他
2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 73,1004.其他應敘明事項:本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底,該基底上具有一第一閘極層、一第一介電層以及一淺溝隔離(shallow trench isolation,STI)環繞該基底、該第一閘極層及該第一介電層。然後去除該第一介電層、形成一第一側壁子於第一閘極層上方之淺溝隔離側壁以及利用第一側壁子為遮罩去除部分第一閘極層及部分基底以形成一第一開口並同時定義出一第一閘極結構及一第二閘極結構。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555065專利
其他
2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 56,2004.其他應敘明事項:本發明提供一種非揮發性記憶體的製造方法。提供包括第一區與第二區的基底,並對第一區進行第一圖案化步驟以在第一區中形成多個閘極堆疊結構。之後,形成覆蓋每一閘極堆疊結構的側壁與上表面之第一側壁氧化層,並於第一側壁氧化層上形成保護層。接著,對第二區進行離子植入製程,再對第二區進行第二圖案化步驟以在第二區中形成多個閘極結構。然後,形成覆蓋每一閘極結構的側壁之第二側壁氧化層。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555213專利
其他
2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體閘極結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 91,4004.其他應敘明事項:本發明提供一種快閃記憶體閘極結構的製作方法,包含:首先提供一基底,再依序形成一第一絕緣層、一第一導電層和一第二絕緣層覆蓋基底,然後在第一導電層和第二絕緣層內形成至少一第一溝渠,之後形成一第二導電層和一遮罩層覆蓋第二絕緣層,其中第二導電層填滿第一溝渠,接續形成複數個圖案化遮罩層,接著於各個圖案化遮罩層之兩側各形成一側壁子,最後以圖案化遮罩層與側壁子為遮罩蝕刻第 一導電層,直至第一絕緣層曝露出來,以形成一第一閘極結構和一第二閘極結構。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559585專利
其他
2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 63,2004.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體,包括基底、介電層與至少一記憶胞串。介電層設置於基底上。記憶胞串包括多個記憶胞與多個第二介層窗。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中,且各個記憶胞包括第一介層窗、二導線與二可變電阻結構。導線分別設置於第一介層窗的兩側。可變電阻結構分別設置於第一介層窗與導線之間。在垂直相鄰的兩個記憶胞中,位於上方的記憶胞的可變電阻結構與位於下方的記憶胞的可變電阻結構彼此隔離。第二介層窗分別設置於第一介層窗下方的介電層中並連接於第一介層窗,且垂直相鄰的兩個第一介層窗藉由第二介層窗進行連接。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555246專利
其他
2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體結構及電阻式隨機存取記憶體的操作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 61,8004.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體結構,包括第一電晶體、第二電晶體與電阻式隨機存取記憶胞串。藉由第一電晶體的第一端子與第二電晶體電性連接,而使得第一電晶體與第二電晶體串聯。電阻式隨機存取記憶胞串包括彼此電性連接的多個記憶胞,且電性連接至第一電晶體的第二端子。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559009專利
其他
2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:動態記憶體測試裝置及其測試方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 51,2004.其他應敘明事項:一種動態記憶體的測試裝置及測試方法。動態記憶體測試裝置包括系統整合式晶片,用以耦接至動態記憶體。系統整合式晶片包括控制單元以及內嵌式記憶體裝置。控制單元耦接至動態記憶體。內嵌式記憶體裝置儲存記憶體測試程式碼,其中,控制單元讀取記憶體測試程式碼並藉由執行記憶體測試程式碼以對動態記憶體執行測試動作。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559308專利
其他
2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:內部電源電壓產生電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 67,4004.其他應敘明事項:本發明為其以內部電源電壓成為基準電壓的方式進行調整。所述內部電源電壓產生電路包括:電荷共享電路,包含充電電容器、初始電壓調整電路及電荷重置電路,所述充電電容器經由開關電路而連接於差動放大器,且以控制電壓的電荷進行充電,所述初始電壓調整電路對充電電容器調整並施加初始電壓,所述電荷重置電路對充電電容器進行放電,當內部電源電壓較基準電壓而下降時,將具有初始電壓的充電電容器連接至差動放大器,在傳輸期間內將控制電壓的電荷傳輸至充電電容器。<摘錄公開資訊觀測站>
第一頁
最末頁
上一頁
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11
下一頁
產業趨勢
標題
訊息來源
日期
訪客留言─力晶
來看看力晶這檔股票
當年黯然下櫃的力晶,在經歷轉型成晶圓代工加上近年DRAM翻身後,股價越來越亮麗,不知後續力晶的表現是否能如市場所言持續保持獲利,股價能否持續有好表現,還請各位大大不吝提供建議,以為小妹買賣參考,甘溫呦^^
2015-03-17 10:42
小玉
回覆數(0)
買力晶
要賣的請聯絡!
2013-05-30 22:31
venshian
回覆數(0)
我要詢價,力晶目前的行情?
我要詢價
2012-12-13 10:29
ArBin
回覆數(0)
更多訪客留言回覆,請前往
討論區
查詢
如果您對力晶 股票資訊有任何相關的投資問題、感想或建言,歡迎留言!
打
*
者為必填欄位!驗證碼有大小寫分別請仔細觀看^^
*
留言標題
公開
悄悄話
*
姓名/暱稱
*
市內/行動
*
Email
您的網站
*
留言內容
不支援HTML語法,謝絕廣告
*
驗證碼
重新產生
最新權值公告
個股名稱查詢
排行榜
新聞搜尋
其他連結
討論區
會員服務
聯絡我們
立即登入
回首頁
▲top
福臨專業未上市股票網
未上市
版權所有 本站訊息僅供參考,會員自行評估 2010.06.30 系統更新