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公司新聞
標題 訊息來源 日期
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關 公開資訊觀測站 2017/7/7
公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關資訊 1.事實發生日:106/07/072.發生緣由:鉅晶電子股份有限公司董事會決議通過參與廠房標售案。3.因應措施:無4.其他應敘明事項:依董事會決議內容授權董事長執行投標相關事宜，交易確定後再行補充公告。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2015/5/4
1.事實發生日:104/05/042.發生緣由:鉅晶電子於104年5月4日經董事會決議，為健全財務結構及促進資金之更佳運用，擬辦理減資新台幣500,000,000元以退還股東股款，共計消除已發行股份50,000,000股，即每仟股銷除166股，減資比例為16.67%。減資後不滿一股之畸零股，按面額比率計算給付現金(元以下捨去)，所有不滿一股之畸零股授權由董事長洽特定人以面額認購。鉅晶電子原實收資本額為新台幣3,000,000,000元，減資後實收資本為新台幣2,500,000,000元。。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/9
1.事實發生日:103/10/082.發生緣由:Global Powertec CO., LTD.為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬以103年10月8日為基準日，辦理減資新台幣588,473,126元以退還股東股款，本公司減少資本前實收資本額為美金19,754,500元，依歷次增資匯率換算，折合新台幣588,473,449元，每股面額為美金10元，已發行股份總數為1,975,450股，辦理減少資本新台幣588,473,126元，消除1,975,449股後，實收資本額為美金10元，折合新台幣323元，已發行股份總數為1股。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/1
1.事實發生日:103/10/012.發生緣由:世仁投資於103年10月1日經董事會決議，為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬辦理減資新台幣954,500,000元以退還股東股款，共計消除已發行　股份95,450,000股，依股東所持股份比例減少之。世仁投資原實收資本額為新台幣3,499,087,200元，減資後實收資本為新台幣2,544,587,200元。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:世仁投資預計減資基準日：待股東會決議後另召開董事會訂定之。<摘錄公開資訊觀測站>
　

重要公告
標題 公告類別 日期
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9640272專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體裝置之控制電路及其方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/023.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 313,6254.其他應敘明事項:在半導體裝置中，有別於傳統技術，當重置指令(reset command)被輸入時，該重置指令可以藉由一簡單的方法以及電路在短期間內執行。半導體裝置的控制電路(control circuit)適用於控制時脈產生器(clock generator)，以產生可變頻的系統時脈(system clock)。其中，在正常操作模式的半導體裝置，是由控制電路根據重置指令改變系統時脈的頻率，由第一頻率改變為第二頻率，其中第二頻率高於第一頻率，並且對半導體裝置執行中斷程序(interrupt process)，以從正常操作模式(normal operating)進入重置時序模式(reset sequence mode)。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9627468專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電容器結構及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/183.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 213,3874.其他應敘明事項:一種電容器結構，包括：基底、介電層、第一導體層以及杯狀電容器。介電層位於基底上。第一導體層位於介電層中。杯狀電容器貫穿第一導體層且位於介電層中。杯狀電容器包括下電極、電容介電層以及上電極。下電極的兩側壁與第一導體層電性連接。電容介電層覆蓋下電極的表面。上電極覆蓋電容介電層的表面。電容介電層配置在上電極與下電極之間。下電極的頂面低於上電極的頂面。本發明另提供一種電容器結構的製造方法。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9620544專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:影像感測器2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 217,8414.其他應敘明事項:本發明提供一種影像感測器，包括一基底，包括一像素陣列區；複數個隔離結構，位於該基底中，於該像素陣列區中區隔出複數個像素區；一光感測區，位於各該像素區內的該基底中；以及一反射凹穴結構，位於各該像素區內的該基底中，該反射凹穴結構由各該隔離結構的底部一較淺處，連續的延伸至各該像素區中間一較深處，俾於各該像素區內構成一碟狀輪廓，其中該反射凹穴結構的折射率小於該基底的折射率。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9620368專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 147,6544.其他應敘明事項:本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，該基底上具有一第一閘極層、一第一介電層以及一淺溝隔離(shallow trench isolation,STI)環繞該基底、該第一閘極層及該第一介電層。然後去除該第一介電層、形成一第一側壁子於第一閘極層上方之淺溝隔離側壁以及利用第一側壁子為遮罩去除部分第一閘極層及部分基底以形成一第一開口並同時定義出一第一閘極結構及一第二閘極結構。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9613995專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/043.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 186,0234.其他應敘明事項:一種半導體元件，包括：基底、至少一感測器、介電層、至少一光導管結構、至少一焊墊、遮蔽層以及保護層。感測器位於第一區的基底中。介電層位於基底上。光導管結構位於第一區的介電層中。光導管結構對應於感測器。焊墊位於第二區的介電層中。遮蔽層位於介電層上，其中遮蔽層環繞光導管結構。保護層位於遮蔽層上。焊墊上方的介電層、遮蔽層以及保護層中具有至少一焊墊開口，以暴露對應的焊墊的頂面<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2490440專 其他 2017/6/30
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2490440專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/073.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,2964.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體，包括第一電極、介電層、至少一第一奈米結構及第二電極。介電層設置於第一電極上。第一奈米結構設置於第一電極與介電層之間，且第一奈米結構包括多個第一群聚型金屬奈米粒子及多個第一包覆型金屬奈米粒子。第一群聚型金屬奈米粒子設置於第一電極上。第一包覆型金屬奈米粒子包覆第一群聚型金屬奈米粒子，其中第一群聚型金屬奈米粒子的擴散係數大於第一包覆型金屬奈米粒子的擴散係數。第二電極設置於介電層上。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2484258專 其他 2017/6/30
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2484258專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:位準移位電路以及利用位準移位電路之半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/073.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 86,6964.其他應敘明事項:一種位準移位電路，用以當具有一第一位準之一資料輸入信號儲存於一閂鎖後，透過一輸出反相器輸出具有一第二位準之一資料輸出信號，其中上述位準移位電路包括，一位準設定電路，當上述輸出資料信號具有一低電壓位準時，根據上述輸入資料信號的變化將上述輸出資料信號設定為一低電壓位準。上述電壓位準電路耦接至一輸出反相器之一輸出端，且具有一汲極以及一源極耦接至接地端之一NMOS電晶體，且其中當上述輸入資料信號為一高電壓位時，上述NMOS電晶體導通。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 6131357專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體記憶裝置及其位址控制方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 184,9754.其他應敘明事項:半導體記憶裝置基於所輸入的並行位址來選擇性地切換至少兩個儲存單元並寫入或讀取資料，其包括控制單元，所述控制單元以如下方式進行控制：於第一次資料存取中，基於所述輸入的並行位址對所述半導體記憶裝置進行存取後，於第二次以後的資料存取中，基於與所述並行位址不同的串行位址對所述半導體記憶裝置進行存取。而且，所述半導體記憶裝置是將記憶胞分別連接於多條字元線與多條位元線的交叉點而構成，所述串行位址包含：選擇所述多條字元線中的1條字元線的第1串行位址，以及選擇所述多條位元線中的1條位元線的第2串行位址。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 6114796專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:用於非揮發性記憶裝置的感測電路以及非揮發性記憶裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/283.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 244,6684.其他應敘明事項:一種感測電路，被設置於包含鎖存器的頁面緩衝器中，並且感測資料，所述鎖存器是在對非揮發性記憶裝置的記憶胞元寫入或讀出資料時暫時保存資料，該感測電路包括：第1開關元件及疊閘型控制元件，串聯連接於第1訊號線與鎖存器的第1端子之間；以及第2開關元件，連接於第1開關元件與疊閘型控制元件之間，在藉由感測致能訊號來使第1開關元件導通的感測開始前，疊閘型控制元件的浮動閘極的電壓設定為將從疊閘型控制元件的浮動閘極所見的臨限值電壓加上規定電壓所得的電壓值，之後感測記憶胞元的資料。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 6132860專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電晶體測試電路及方法、半導體記憶裝置以及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/283.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 263,6204.其他應敘明事項:本發明提供可對每個晶片高準確度地測定半導體裝置中所含的電晶體的擊穿電壓的電晶體測試電路等。電晶體測試電路，其設置於半導體晶片，測定MOS電晶體的擊穿電壓，該電晶體測試電路包括：電壓施加裝置，對所述MOS電晶體的汲極、源極及閘極中的至少其中之一施加預定的測試電壓；電流檢測電路，當施加所述測試電壓時，對從所述MOS電晶體流至負載電路的電流進行檢測；電流鏡電壓輸出電路，產生與檢測出的所述電流對應的鏡像電流並輸出；以及比較器電路，將所述鏡像電流與預定的基準電流進行比較並輸出比較結果訊號。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 6131290專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體閘極結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 245,6474.其他應敘明事項:本發明提供一種快閃記憶體閘極結構的製作方法，包含：首先提供一基底，再依序形成一第一絕緣層、一第一導電層和一第二絕緣層覆蓋基底，然後在第一導電層和第二絕緣層內形成至少一第一溝渠，之後形成一第二導電層和一遮罩層覆蓋　第二絕緣層，其中第二導電層填滿第一溝渠，接續形成複數個圖案化遮罩層，接著於各個圖案化遮罩層之兩側各形成一側壁子，最後以圖案化遮罩層與側壁子為遮罩蝕刻第一導電層，直至第一絕緣層曝露出來，以形成一第一閘極結構和一第二閘極結構。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 6133911專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:爐管製程的派工控制方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/283.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 225,7844.其他應敘明事項:一種爐管製程的派工控制方法，包括下列步驟。在多批晶圓進入爐管之前，算出各批晶圓的特性變異值。將多批晶圓依照特性變異值的大小進行排序。將多批晶圓依照特性變異值由大到小的順序對應於爐管中造成特性變異值變小到變大的多個位置擺放在爐管中。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：股東會決議通過解除董事競業禁止之限制 股東會 2017/6/23
1.股東會決議日:106/06/222.許可從事競業行為之董事姓名及職稱:(1)法人董事：力元投資股份有限公司(2)法人董事代表人：蔡國智先生、謝再居先生(3)獨立董事：劉炯朗3.許可從事競業行為之項目:依公司法第209條第一項相關規定，董事為自己或他人為屬於公司營業範圍內之行為。4.許可從事競業行為之期間:106/06/22~107/06/175.決議情形（請依公司法第209條說明表決結果）:本案經主席徵詢在場出席股東無異議照案通過。6.所許可之競業行為如屬大陸地區事業之營業者，董事姓名及職稱（非屬大陸地區事業之營業者，以下欄位請輸不適用）:(1)智成電子股份有限公司代表人謝再居董事7.所擔任該大陸地區事業之公司名稱及職務:(1)合肥晶合集成電路有限公司：董事8.所擔任該大陸地區事業地址:安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內。9.所擔任該大陸地區事業營業項目:從事面板驅動晶片等產品之晶圓代工服務。10.對本公司財務業務之影響程度:無。11.董事如有對該大陸地區事業從事投資者，其投資金額及持股比例:無。12.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I566316專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:晶圓傳送盒搬運方法、橋接儲存器、以及控制裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 47,2004.其他應敘明事項:一種晶圓傳送盒搬運方法，可用於控制包括至少兩個進出埠的橋接儲存器。上述晶圓傳送盒搬運方法包括以下步驟：先攔截一存入命令予以保留不執行、主動觸發後續執行條件以接收其下一道搬出命令、將兩道命令整合用以發送一直接搬運命令。存入命令用以控制橋接儲存器將晶圓傳送盒透過第一進出埠搬進橋接儲存器並儲存晶圓傳送盒至儲存單元。搬出命令用以控制橋接儲存器將晶圓傳送盒透過第二進出埠搬出橋接儲存器的儲存單元。直接搬運命令控制橋接儲存器將晶圓傳送盒從第一進出埠直接搬運至第二進出埠，可省略搬入儲存單元及搬出儲存單元之程序。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I566294專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體的製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 49,2004.其他應敘明事項:本發明提供一種快閃記憶體的製作方法，特別採用等向性蝕刻的方式移除介電層，製作方法包含首先提供一鰭狀結構，鰭狀結構包含一浮置閘極材料層、一氧化層和一半導體層，一絕緣層設置於鰭狀結構之兩側，然後形成一介電層順應地覆蓋浮置閘極材料層以及絕緣層，之後形成一圖案化第一遮罩層、一圖案化第二遮罩層、一控制閘極由上至下依序堆疊於介電層上，並且控制閘極橫跨至少一個鰭狀結構，接著進行至少一次的一第一等向性蝕刻步驟，以浮置閘極材料層和絕緣層作為蝕刻停止層，等向性移除曝露的介電層，直至介電層被完全移除。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I565557專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:化學機械研磨製程2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 68,2004.其他應敘明事項:本發明是揭露一種化學機械研磨製程。首先提供一化學機械研磨機台，且該機台包含一研磨墊。然後進行一暖機步驟，其中該暖機步驟包含提供一研磨漿料並且利用一研磨器對該研磨墊進行一刮除研磨顆粒之動作。之後再進行一研磨步驟研磨一產品晶圓。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 6050804專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:內部電源電壓輔助電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/063.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 364,1584.其他應敘明事項:本發明提供一種內部電源電壓輔助電路，用於內部電源電壓產生電路，內部電源電壓產生電路包括：差動放大器，將供給至負載電路的內部電源電壓與規定的基準電壓進行比較，並從輸出端子輸出控制電壓；及驅動電晶體，根據控制電壓來驅動外部電源電壓。內部電源電壓輔助電路包括：時序檢測電路，檢測資料信號的變化，產生並輸出檢測信號；及內部電源電壓輔助供給電路，基於檢測信號，輔助性地供給針對負載電路的電流。因此，可穩定地輸出內部電源電壓，而消耗電力不會大幅增大。本發明亦提供一種半導體記憶裝置及半導體裝置。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2318098專 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式記憶體結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/183.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 74,8404.其他應敘明事項:一種電阻式記憶體單元，包含有至少一位元線，沿著第一方向延伸；至少一字元線，設於一基底上，且沿著一第二方向延伸，與該位元線交叉；一硬遮罩層，位於該字元線上，使該字元線與該位元線電性隔離；一第一記憶胞，設於該字元線的一側壁上，；以及一第二記憶胞，設於該字元線的另一側壁上。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2320395專 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其寫入方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/093.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 99,9444.其他應敘明事項:一種非揮發性半導體記憶裝置，包括：一非揮發性的記憶單元陣列；以及一控制電路，用以控制該記憶單元陣列的寫入。在抹除已寫入記憶單元之資料的抹除處理之前或之後，上述控制電路檢測寫入至上述記憶單元陣列時的寫入速度，決定每區塊或每字元線之對應該寫入速度的寫入開始電壓，儲存上述所決定的寫入開始電壓於上述記憶單元陣列，以及從上述記憶單元陣列讀出寫入開始電壓以寫入預定資料。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571939專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:橫向擴散金屬氧化半導體元件及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 54,6004.其他應敘明事項:一種橫向擴散金屬氧化半導體元件的製造方法，其包括：提供基底，基底上已依序形成有介電層、第一導體層、黏著層以及第二導體層。圖案化第二導體層，以形成導體結構。於導體結構的一側的第一導體層與介電層中形成第一溝渠。以導體結構作為罩幕，移除第一導體層與第一溝渠所暴露的部分基底，以形成閘極結構與第二溝渠。於閘極結構的一側的基底中形成第一導電型的第一井區。於閘極結構的另一側的基底中形成第二導電型的第二井區。於閘極結構的側壁形成間隙壁，間隙壁填滿所述第二溝渠。於閘極結構的兩側的基底中形成汲極區及源極區。 <摘錄公開資訊觀測站>
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產業趨勢
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訪客留言─力晶

來看看力晶這檔股票
當年黯然下櫃的力晶,在經歷轉型成晶圓代工加上近年DRAM翻身後,股價越來越亮麗,不知後續力晶的表現是否能如市場所言持續保持獲利,股價能否持續有好表現,還請各位大大不吝提供建議,以為小妹買賣參考,甘溫呦^^
2015-03-17 10:42 小玉 回覆數(0)  
 
買力晶
要賣的請聯絡!
2013-05-30 22:31 venshian 回覆數(0)  
 
我要詢價，力晶目前的行情？
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2012-12-13 10:29 ArBin 回覆數(0)  
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