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公司新聞
標題 訊息來源 日期
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關 公開資訊觀測站 2017/7/7
公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關資訊 1.事實發生日:106/07/072.發生緣由:鉅晶電子股份有限公司董事會決議通過參與廠房標售案。3.因應措施:無4.其他應敘明事項:依董事會決議內容授權董事長執行投標相關事宜，交易確定後再行補充公告。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2015/5/4
1.事實發生日:104/05/042.發生緣由:鉅晶電子於104年5月4日經董事會決議，為健全財務結構及促進資金之更佳運用，擬辦理減資新台幣500,000,000元以退還股東股款，共計消除已發行股份50,000,000股，即每仟股銷除166股，減資比例為16.67%。減資後不滿一股之畸零股，按面額比率計算給付現金(元以下捨去)，所有不滿一股之畸零股授權由董事長洽特定人以面額認購。鉅晶電子原實收資本額為新台幣3,000,000,000元，減資後實收資本為新台幣2,500,000,000元。。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/9
1.事實發生日:103/10/082.發生緣由:Global Powertec CO., LTD.為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬以103年10月8日為基準日，辦理減資新台幣588,473,126元以退還股東股款，本公司減少資本前實收資本額為美金19,754,500元，依歷次增資匯率換算，折合新台幣588,473,449元，每股面額為美金10元，已發行股份總數為1,975,450股，辦理減少資本新台幣588,473,126元，消除1,975,449股後，實收資本額為美金10元，折合新台幣323元，已發行股份總數為1股。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/1
1.事實發生日:103/10/012.發生緣由:世仁投資於103年10月1日經董事會決議，為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬辦理減資新台幣954,500,000元以退還股東股款，共計消除已發行　股份95,450,000股，依股東所持股份比例減少之。世仁投資原實收資本額為新台幣3,499,087,200元，減資後實收資本為新台幣2,544,587,200元。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:世仁投資預計減資基準日：待股東會決議後另召開董事會訂定之。<摘錄公開資訊觀測站>
　

重要公告
標題 公告類別 日期
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593290專利 其他 2017/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:影像感測器2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 77,8004.其他應敘明事項:本發明提供一種影像感測器，包括一基底，包括一像素陣列區；複數個隔離結構，位於該基底中，於該像素陣列區中區隔出複數個像素區；一光感測區，位於各該像素區內的該基底中；以及一反射凹穴結構，位於各該像素區內的該基底中，該反射凹穴結構由各該隔離結構的底部一較淺處，連續的延伸至各該像素區中間一較深處，俾於各該像素區內構成一碟狀輪廓，其中該反射凹穴結構的折射率小於該基底的折射率。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585323專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:止逆閥及防止氣體回沖的系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 40,6004.其他應敘明事項:一種止逆閥，其包括閥體、多個旋啟式柵門及多個檔塊。閥體具有多個開口。旋啟式柵門設置於閥體上。在旋啟式柵門關閉時，旋啟式柵門封住開口。檔塊設置於閥體上。在旋啟式柵門開啟時，檔塊擋住旋啟式柵門，以限制旋啟式柵門的開啟角度。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585924專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:隨機動態記憶體晶片封裝結構2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 46,6004.其他應敘明事項:一種隨機動態記憶體晶片封裝結構，包括第一線路基板、第一晶片、第二線路基板與第二晶片。第一線路基板具有相對的第一表面與第二表面。具有第一列接墊以及第二列接墊之第一晶片以第一主動表面朝向第一表面的方式配置在第一線路基板上。第一列接墊與第二列接墊平行配置在第一主動表面上且電性連接至第一線路基板。具有相對的第三表面與第四表面的第二線路基板配置於第一晶片上。具有第三列接墊以及第四列接墊之第二晶片以第二主動表面朝向第三表面的方式配置於第二線路基板上。第三列接墊與第四列接墊平行配置於第二主動表面上且電性連接至第二線路基板。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585795專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電容器結構及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,2004.其他應敘明事項:一種電容器結構，包括：基底、介電層、第一導體層以及杯狀電容器。介電層位於基底上。第一導體層位於介電層中。杯狀電容器貫穿第一導體層且位於介電層中。杯狀電容器包括下電極、電容介電層以及上電極。下電極的兩側壁與第一導體層電性連接。電容介電層覆蓋下電極的表面。上電極覆蓋電容介電層的表面。電容介電層配置在上電極與下電極之間。下電極的頂面低於上電極的頂面。本發明另提供一種電容器結構的製造方法。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585772專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體記憶裝置及半導體積體電路裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 154,0004.其他應敘明事項:本發明高效率地在開發階段進行不良記憶胞元修復的測試。記憶體控制電路10基於包含列位址Ax及行位址Ay的位址Address，從與字元線WL及位元線BL連接的記憶胞元50讀出所保存的資料。冗餘解碼器13-1~13-4在位址Address包含指定與特定的記憶胞元Cc連接的字元線WLa或位元線BLc的冗餘位址P1~P4時，使與冗餘字元線RWL1、RWL2或冗餘位元線RBL1、RBL2連接的冗餘記憶胞元RCc取代特定的記憶胞元Cc。冗餘位址鎖存電路12-1~12-4分別保持冗餘位址P1~P4，並且基於從記憶體控制電路10輸入的重置訊號RS來抹除所保持的冗餘位址P1~P4。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585768專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶裝置與用於非揮發性記憶裝置的寫入電路及方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 114,2004.其他應敘明事項:一種用於非揮發性記憶裝置的寫入電路，所述非揮發性記憶裝置具備控制電路，該控制電路在進行資料的寫入時，判斷每個記憶胞元的程式化結束，該寫入電路包括：第1開關元件，基於由保存對應的記憶胞元的程式化校驗狀態的記憶元件所保存的資料而受到通斷控制；判斷控制用MOS電晶體，進行程式化校驗的判斷控制；以及第2開關元件，基於判斷控制訊號，將控制判斷控制用MOS電晶體的電壓施加至其閘極，在進行程式化校驗之前，將判斷控制用MOS電晶體的閘極電壓設定成為將判斷控制用MOS電晶體的臨限值電壓加上預設控制電壓值所得的電壓值。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585767專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體裝置之控制電路及其方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 70,8004.其他應敘明事項:在半導體裝置中，有別於傳統技術，當重置指令(reset command)被輸入時，該重置指令可以藉由一簡單的方法以及電路在短期間內執行。半導體裝置的控制電路(control circuit)適用於控制時脈產生器(clock generator)，以產生可變頻的系統時脈(system clock)。其中，在正常操作模式的半導體裝置，是由控制電路根據重置指令改變系統時脈的頻率，由第一頻率改變為第二頻率，其中第二頻率高於第一頻率，並且對半導體裝置執行中斷程序(interrupt process)，以從正常操作模式(normal operating)進入重置時序模式(reset sequence mode)。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585512專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:提升圖案精密度的方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 52,1004.其他應敘明事項:本發明的提升圖案精密度的方法，包括下列步驟。提供目標圖案。將目標圖案分解成多個分割圖案。分別由多個分割圖案產生多個光阻強度分布。處理多個分割圖案的多個光阻強度分布，得到光阻強度分布圖像。根據光阻強度分布圖像定義高感光區域以及強度不足區域。修正所述光阻強度分布圖像的強度不足區域。根據修正後的光阻強度分布圖像得到結果圖案。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581407專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 58,0004.其他應敘明事項:一種記憶體的製造方法，包括以下步驟。在基底上形成多個電荷儲存結構，其中相鄰兩個電荷儲存結構之間具有第一溝渠，且第一溝渠延伸至基底中。在第一溝渠的表面形成介電襯層。在介電襯層上形成氮化物層。在第一溝渠中填入第一介電層。在電荷儲存結構與第一介電層上形成第二介電層。在第二介電層上形成導體層。移除第一介電層，而在相鄰兩個電荷儲存結構之間的第二介電層下方形成第一氣隙。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581072專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:曝光裝置與曝光方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 47,6004.其他應敘明事項:一種曝光裝置，包括晶圓承載台與光罩承載台。光罩承載台位於晶圓承載台上方，且具有多個光罩承載區。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I580984專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電壓校正電路及電壓校正系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 58,4004.其他應敘明事項:電壓校正電路包含待校正電壓輸出電路、放大器、電源切換指示電路及內建自我測試電路。待校正電壓輸出電路根據待校正電壓選擇訊號選擇第一待校正電壓源以輸出待校正電壓。放大器之兩輸入端分別接收待校正電壓及對應於第一待校正電壓源之參考電壓。電源切換指示電路根據參考電壓、放大器之輸出端的電壓以及指示電壓以輸出電源切換訊號。指示電壓與待校正電壓之間具有固定電壓差。內建自我測試電路根據電源切換訊號更新待校正電壓選擇訊號以使待校正電壓輸出電路改以選擇第二待校正電壓源。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581428專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 95,2004.其他應敘明事項:一種半導體元件，包含有一基底；一源極摻雜區，設於基底中；一汲極摻雜區，設於基底中，並與源極摻雜區相隔一預定距離；一通道區域，介於源極摻雜區與汲極摻雜區之間；以及一閘極結構，設於通道區域上，其中閘極結構包含有一閘極介電層、一閘極導電層，以及一複合應力導向層。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581441專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,2004.其他應敘明事項:一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構，包含有一基底，其中設有一導電區域；一金屬層間介電層，設於基底上；一電容溝渠，貫穿金屬層間介電層，顯露出導電區域；一電容下電極結構，設於電容溝渠內，包括一第一下電極及一第二下電極，其中第一下電極環繞著第二下電極，且第一下電極直接接觸導電區域；一導電支撐底座，位於電容溝渠內，固定並電連接第一下電極及第二下電極的底部；一電容介電層，順形的設置在第一下電極、第二下電極及導電支撐底座的表面上；以及一電容上電極，設置在電容介電層上。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581413專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:影像感測元件的光管的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 50,6004.其他應敘明事項:一種影像感測元件的光管的製造方法，包括下列步驟。提供基底。基底包括畫素區與周邊電路區。在基底中已形成有光感測區。光感測區位於畫素區中。在基底上形成介電層。在介電層中已形成有內連線結構與擋光金屬層。擋光金屬層位於內連線結構上方，且擋光金屬層具有暴露出光感測區的開口。以擋光金屬層為罩幕，移除由開口所暴露出的部分介電層，以在介電層中形成光管。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581213專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:物品缺陷檢測方法、影像處理系統與電腦可讀取記錄媒體2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 69,6004.其他應敘明事項:一種物品缺陷檢測方法、影像處理系統與電腦可讀取記錄媒體，此方法包括下列步驟。接收待測物品的測試影像及參考影像。取得測試影像中的測試區塊，並且自參考影像中取得對應的參考區塊，以分別產生測試區塊影像及參考區塊影像。將測試區塊影像及參考區塊影像分割為多個子區塊，再辨識及濾除干擾的子區塊，以產生已濾除測試區塊影像及已濾除參考區塊影像，進而取得偏移校正參數，以校正測試影像中的測試區塊，從而取得已校正測試區塊影像。將已校正測試區塊影像與參考區塊影像進行比對，以取得出待測物品對應於測試區塊的缺陷資訊。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581373專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 55,8004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體，包括基底、第一導體層、第二導體層、圖案化硬罩幕層、第三導體層、第一摻雜區及第二摻雜區。第一導體層與第二導體層彼此分離設置於基底上。圖案化硬罩幕層設置於第一導體層上，且暴露出第一導體層的尖端。第三導體層設置於第一導體層遠離第二導體層的一側的基底上。第三導體層位於部分第一導體層上並覆蓋尖端，且第三導體層與第一導體層相互隔離。第一摻雜區設置於第三導體層下方的基底中。第二摻雜區設置於第二導體層遠離第一導體層的一側的基底中。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581268專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置與寫入方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 75,3004.其他應敘明事項:一種非揮發性半導體記憶裝置，包括控制處理器、寫入控制器、電壓產生電路以及切換電路。控制處理器用以產生並輸出一控制資料並且實施一程式碼以寫入資料，其中資料包括一字元線指定指令以及一電壓源指定資料。寫入控制器用以解碼控制資料並且產生字元線指定指令的一控制信號以及電壓源指定資料的一控制信號。電壓產生電路用以產生寫入資料的複數個電壓。切換電路用以依據字元線指定指令之控制信號以及電壓源指定資料之控制信號，選擇複數個電壓之中對應電壓源指定資料的一電壓，並且對應字元線指定指令輸出選擇的電壓。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585951專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:記憶體結構2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 54,6004.其他應敘明事項:一種記憶體結構，包括基底、選擇閘極結構、第一重摻雜區、第二重摻雜區及浮置接觸窗。選擇閘極結構設置於基底上。第一重摻雜區與第二重摻雜區分別設置於選擇閘極結構一側與另一側的基底中。浮置接觸窗設置於第一重摻雜區與選擇閘極結構之間的基底上，且與基底相互隔離。<摘錄公開資訊觀測站>
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1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:相移式光罩及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 58,6004.其他應敘明事項:一種相移式光罩，包括基板、相移層與透明層。相移層設置於基板上，且具有開口。透明層設置於開口中。上述相移式光罩可具有較大的聚焦深度寬容度。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9653142專利 其他 2017/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:揮發性半導體記憶裝置、其再新控制電路及方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/253.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 258,3194.其他應敘明事項:一種揮發性半導體記憶裝置的再新控制電路，所述揮發性半導體記憶裝置包括各自具有選擇用電晶體與記憶元件的多個記憶胞元，所述揮發性半導體記憶裝置的再新控制電路包括：第1比較部件，將所述揮發性半導體記憶裝置的與通常記憶用記憶胞元不同的記憶胞元的記憶電壓跟規定的臨界電壓進行比較，並輸出比較結果信號，停止所述記憶胞元的自我再新，直至所述記憶電壓下降至小於規定的臨界電壓為止。此處，所述揮發性半導體記憶裝置的與通常記憶用記憶胞元不同的記憶胞元是形成在與所述通常記憶用記憶胞元的陣列鄰接的區域中。<摘錄公開資訊觀測站>
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產業趨勢
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訪客留言─力晶

來看看力晶這檔股票
當年黯然下櫃的力晶,在經歷轉型成晶圓代工加上近年DRAM翻身後,股價越來越亮麗,不知後續力晶的表現是否能如市場所言持續保持獲利,股價能否持續有好表現,還請各位大大不吝提供建議,以為小妹買賣參考,甘溫呦^^
2015-03-17 10:42 小玉 回覆數(0)  
 
買力晶
要賣的請聯絡!
2013-05-30 22:31 venshian 回覆數(0)  
 
我要詢價，力晶目前的行情？
我要詢價
2012-12-13 10:29 ArBin 回覆數(0)  
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