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公司新聞
標題 訊息來源 日期
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關 公開資訊觀測站 2017/7/7
公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關資訊 1.事實發生日:106/07/072.發生緣由:鉅晶電子股份有限公司董事會決議通過參與廠房標售案。3.因應措施:無4.其他應敘明事項:依董事會決議內容授權董事長執行投標相關事宜，交易確定後再行補充公告。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2015/5/4
1.事實發生日:104/05/042.發生緣由:鉅晶電子於104年5月4日經董事會決議，為健全財務結構及促進資金之更佳運用，擬辦理減資新台幣500,000,000元以退還股東股款，共計消除已發行股份50,000,000股，即每仟股銷除166股，減資比例為16.67%。減資後不滿一股之畸零股，按面額比率計算給付現金(元以下捨去)，所有不滿一股之畸零股授權由董事長洽特定人以面額認購。鉅晶電子原實收資本額為新台幣3,000,000,000元，減資後實收資本為新台幣2,500,000,000元。。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/9
1.事實發生日:103/10/082.發生緣由:Global Powertec CO., LTD.為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬以103年10月8日為基準日，辦理減資新台幣588,473,126元以退還股東股款，本公司減少資本前實收資本額為美金19,754,500元，依歷次增資匯率換算，折合新台幣588,473,449元，每股面額為美金10元，已發行股份總數為1,975,450股，辦理減少資本新台幣588,473,126元，消除1,975,449股後，實收資本額為美金10元，折合新台幣323元，已發行股份總數為1股。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/1
1.事實發生日:103/10/012.發生緣由:世仁投資於103年10月1日經董事會決議，為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬辦理減資新台幣954,500,000元以退還股東股款，共計消除已發行　股份95,450,000股，依股東所持股份比例減少之。世仁投資原實收資本額為新台幣3,499,087,200元，減資後實收資本為新台幣2,544,587,200元。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:世仁投資預計減資基準日：待股東會決議後另召開董事會訂定之。<摘錄公開資訊觀測站>
　

重要公告
標題 公告類別 日期
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9391107專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:影像感應器2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/123.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 191,8004.其他應敘明事項:一種影像感應器，包含有一半導體基底，其具有一主動陣列區以及一週邊電路區；複數個感光元件，設於該主動陣列區內的該半導體基底中；一第一介電層，位於該半導體基底上，覆蓋該主動陣列區以及該週邊電路區；以及一第二介電層，位於該第一介電層上，其中該第二介電層中具有一凹陷區域對應於該主動陣列區，顯露出該第一介電層的上表面，且由該第二介電層的一側壁所定義出來的該凹陷區域的周圍與該第一介電層的該上表面具有一夾角，其中該夾角小於90度。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9390931專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:浮置閘極與非揮發性記憶胞的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/123.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 169,0164.其他應敘明事項:一種浮置閘極的製造方法，包括下列步驟。提供具有多個隔離結構的基底，隔離結構的頂面高於基底的頂面。於基底上形成第一導體層。於第一導體層上形成犧牲層。移除部份犧牲層，而保留隔離結構之間的第一導體層上的犧牲層。以犧牲層為罩幕，移除部份第一導體層，以於相鄰的隔離結構之間形成導體結構。移除犧牲層。於基底上形成第二導體層，第二導體層電性連接導體結構。以及圖案化第二導體層與導體結構，以形成浮置閘極。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9384844專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體裝置及資料抹除方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/053.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 172,6714.其他應敘明事項:快閃記憶體及其資料抹除方法。資料抹除方法包括：設定依序遞增的多個抹除電壓，並分別依據抹除電壓對快閃記憶體的多個記憶胞執行多數次的資料抹除動作；記錄最後一次抹除動作對應的抹除電壓為記錄抹除電壓；設定依序遞增的多個讀取電壓，並依據讀取電壓針對記憶胞執行多個資料讀取動作，並記錄最後一次讀取動作的最後讀取電壓值；設定最終抹除電壓以對記憶胞執行最終抹除動作，其中最終抹除電壓的電壓值等於抹除驗證電壓的電壓值、最後讀取電壓值以及記錄抹除電壓的電壓值的和。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548000專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 53,2004.其他應敘明事項:一種半導體元件及其製作方法。半導體元件的製作方法包括以下步驟。提供一基底，基底中已形成有多個溝槽，其中溝槽之間的基底上已依序配置有一氧化層、一矽基材料層以及一罩幕層。形成一介電層，以填入溝槽中並覆蓋罩幕層、矽基材料層、氧化層以及基底。對基底進行一退火製程，其中來自罩幕層的氫會與矽基材料層中的矽形成矽-氫鍵。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541751專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:自動化資源傳送裝置及傳送方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 60,0004.其他應敘明事項:自動化資源傳送裝置及傳送方法。資源傳送裝置包括管控伺服器、資料庫裝置以及多數個資源傳輸設備。管控伺服器依據多數個派工指令分別產生多數個傳輸規劃命令。資料庫裝置的資料庫控制器依據傳輸規劃命令的數量以決定是否啟動流量管控機制，並傳送對應傳輸規劃命令的多數個卡控參數至管控伺服器。資源傳輸設備的至少其中之一依據管控伺服器產生的動作命令以執行資源傳送動作。其中，管控伺服器依據流量管控機制是否啟動以及各傳輸規劃命令對應的各卡控參數來暫存各傳輸規劃命令至資料庫裝置中的命令佇列<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550221專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:控制閥模組與測漏監控系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 62,0004.其他應敘明事項:一種控制閥模組，包括載座、連通管、閥箱以及固定結構。連通管設置於載座上。閥箱連接連通管，用以導通或阻斷連通管，其中連通管位於載座與閥箱之間。固定結構包括框架以及壓力感測元件。框架固定閥箱與連通管於載座上。壓力感測元件連接框架並與閥箱相抵接，其中閥箱位於連通管與壓力感測元件之間。本發明另提出一種應用前述控制閥模組的測漏監測系統。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541112專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:機械手臂的檢測裝置與檢測方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,2004.其他應敘明事項:本發明提供一種機械手臂的檢測裝置與檢測方法。上述機械手臂的檢測裝置包括：底座部；支架部，配置在上述底座部上；承載部，包括上承載板以及下承載板，且上述上承載板以及上述下承載板以彼此間隔一距離的方式配置在上述支架部上；以及至少一感測器，配置在上述承載部上，用以對待檢測的機械手臂進行距離資料的收集。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548064專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 39,0004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體的製作方法。提供基底，其上形成有穿隧介電層、第一導體圖案及隔離結構。以第一光阻層為罩幕，移除部分第一導體圖案，以形成暴露出基底的第一開口。形成絕緣層，以填滿第一開口並覆蓋第一導體圖案與隔離結構。形成第二光阻層，其遮蔽部分第一導體圖案。以第二光阻層為罩幕，移除第一導體圖案周圍的絕緣層，形成具有第二開口的圖案化絕緣層，第二開口暴露出第一導體圖案的頂部與側壁。於第一導體圖案上形成閘間介電層與第二導體圖案，第二導體圖案填滿第二開口，第一導體圖案形成浮置閘極，第二導體圖案形成控制閘極。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548039專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體裝置的製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 57,8004.其他應敘明事項:本發明提供一種半導體裝置的製作方法，僅需增加一道光罩，能夠提供高壓元件較大的側壁子寬度，對記憶體區域及低電壓區域內的元件提供較小的側壁子寬度。本發明主要利用一犧牲保護層，僅覆蓋住高電壓區域的氮化矽側壁子，選擇性的剝除低電壓區域內的氮化矽側壁子，再去除該犧牲保護層。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I548075專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:影像感測器及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 49,2004.其他應敘明事項:一種影像感測器的製作方法。提供基底，基底包括像素陣列區。於像素陣列區的基底中形成多個開口。於各開口周圍的基底中形成導光區，其中導光區與開口之間配置有基底，導光區於基底中的深度大於其所環繞之開口於基底中的深度。於開口中形成隔離結構，以於像素陣列區中定義出分別位於兩相鄰隔離結構之間的多個像素區。於各像素區的基底中形成光感測區。於各像素區的基底上形成導線層。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550842專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:影像感應器2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 47,6004.其他應敘明事項:一種影像感應器，包含有一半導體基底，其具有一主動陣列區以及一週邊電路區；複數個感光元件，設於該主動陣列區內的該半導體基底中；一第一介電層，位於該半導體基底上，覆蓋該主動陣列區以及該週邊電路區；以及一第二介電層，位於該第一介電層上，其中該第二介電層中具有一凹陷區域對應於該主動陣列區，顯露出該第一介電層的上表面，且由該第二介電層的一側壁所定義出來的該凹陷區域的周圍與該第一介電層的該上表面具有一夾角，其中該夾角小於90度。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550716專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 48,6004.其他應敘明事項:一種半導體元件的製造方法，包括下列步驟。提供基底，基底包括隔離區和元件區。對基底進行全面性預非晶化處理以形成非晶化區，其中非晶化區的深度全面性地深於隔離區及元件區的至少一者的深度，且非晶化區涵蓋隔離區及元件區的至少一者。對非晶化區進行熱處理。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550616專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體裝置及其程式化動作的初始化方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,8004.其他應敘明事項:快閃記憶體裝置及其程式化動作的初始化方法。程式化動作的初始化方法包括：提供遞增的多個脈波程式化電壓以對快閃記憶體的多個記憶胞進行多個非遮蔽方案程式化動作並依據程式化驗證電壓對記憶胞執行對應的程式化驗證動作；依據程式化驗證動作的驗證結果以獲得記錄程式化電壓值；提供遞增的多個脈波讀取電壓以對記憶胞進行多個讀取動作；依據讀取動作的讀取結果來獲得記錄讀取電壓值；以及，依據記錄程式化電壓值、記錄讀取電壓值以及程式化驗證電壓的電壓值來獲得起始程式化電壓值及程式化脈波電壓遞增值。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550750專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:自動監控膜厚均勻性的方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 41,2004.其他應敘明事項:一種自動監控膜厚均勻性的方法。取得多個晶圓之薄膜的膜厚資料，其中各晶圓的膜厚資料包括在多個量測區域上的多個厚度值，並且同一個晶圓的厚度值設定為一膜厚向量。基於各量測區域所獲得的上述厚度值獲得群均值矩陣。依據群均值矩陣與上述膜厚向量，獲得群共變異矩陣。基於量測區域之間的偏離關係，獲得變換矩陣。利用變換矩陣、群均值矩陣以及群共變異矩陣，獲得偏差範圍。基於偏差範圍來監控各晶圓之薄膜的膜厚均勻性。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I547348專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:化學機械研磨裝置與方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 50,6004.其他應敘明事項:一種化學機械研磨裝置包括：研磨台、研磨墊、研磨頭、調節器、研磨液供應裝置以及分離器。研磨墊配置於研磨台上。研磨頭與調節器配置於研磨墊上。分離器配置於研磨頭與調節器之間。分離器的第一端靠近研磨墊的圓心，其第二端靠近研磨墊的圓周。分離器包括注入部與開口部。注入部靠近分離器的第一端，且與研磨液供應裝置連接。開口部配置於注入部與研磨墊之間，用以塗佈研磨液於研磨墊上。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550293專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:晶圓級動態預燒測試方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 40,6004.其他應敘明事項:一種晶圓級動態預燒測試方法。於預燒測試期間反覆切換各字元線組的致能狀態，並依據測試圖案資料於字元線組再次被致能時變換對位元線施加的電壓。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I541628專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:負基準電壓產生電路及負基準電壓產生系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$47,2004.其他應敘明事項:本發明提出一種負基準電壓產生電路，包括：鉗位型基準電壓電路及差動放大器。鉗位型基準電壓電路連接於比接地電壓或該接地電壓更低的第一負電壓的節點與比該第一負電壓更低的預定的第二負電壓的節點之間。鉗位型基準電壓電路是由第一電路與第二電路並聯而成。差動放大器，將第一電路內的一節點電壓與第二電路內的一節點電壓之間的電壓差放大，輸出負基準電壓。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I547772專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:光阻回收系統及其方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 59,2004.其他應敘明事項:一種光阻回收系統，包括：儲存瓶，用以存放光阻液，且儲存瓶具有瓶蓋，在瓶蓋上設有第一接頭、第二接頭與第三接頭；加壓裝置，與第一接頭連接；排出管路，與瓶蓋的第二接頭連接；第一切換裝置，設置於排出管路上；第二切換裝置，設置於儲存瓶與第一切換裝置之間的排出管路上；回收管路，連接第三接頭以及在第一切換裝置與第二切換裝置之間的排出管路；以及第三切換裝置，設置於回收管路上。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550697專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製作以及檢測方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 81,4004.其他應敘明事項:一種半導體元件的製作方法，包括提供半導體基板，其包括元件區域和週邊區域。接著，於元件區域內形成第一幾何單元，並於週邊區域形成多個第二幾何單元，其中各第二幾何單元的臨界尺寸係相等於第一幾何單元的臨界尺寸。之後，全面沉積一介電層，以同時覆蓋住第一幾何單元和各第二幾何單元。最後，於介電層上形成焊接墊，其中焊接墊位於第二幾何單元的正上方。其中在形成第二幾何單元之後，會對第二幾何單元進行缺陷檢測。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I542055專利 其他 2016/9/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:三維記憶體的陣列結構及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 45,2004.其他應敘明事項:一種三維記憶體的陣列結構，包括：堆疊結構，為由介電層與第一導電層交錯堆疊而成的結構，堆疊結構具有孔洞貫穿堆疊結構的各層，且孔洞於介電層與第一導電層處分別具有不同的孔徑；第二導電層，設置於堆疊結構中的孔洞；以及資料儲存層，設置於堆疊結構與第二導電層之間。<摘錄公開資訊觀測站>
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產業趨勢
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訪客留言─力晶

來看看力晶這檔股票
當年黯然下櫃的力晶,在經歷轉型成晶圓代工加上近年DRAM翻身後,股價越來越亮麗,不知後續力晶的表現是否能如市場所言持續保持獲利,股價能否持續有好表現,還請各位大大不吝提供建議,以為小妹買賣參考,甘溫呦^^
2015-03-17 10:42 小玉 回覆數(0)  
 
買力晶
要賣的請聯絡!
2013-05-30 22:31 venshian 回覆數(0)  
 
我要詢價，力晶目前的行情？
我要詢價
2012-12-13 10:29 ArBin 回覆數(0)  
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