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公司新聞
標題 訊息來源 日期
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關 公開資訊觀測站 2017/7/7
公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關資訊 1.事實發生日:106/07/072.發生緣由:鉅晶電子股份有限公司董事會決議通過參與廠房標售案。3.因應措施:無4.其他應敘明事項:依董事會決議內容授權董事長執行投標相關事宜，交易確定後再行補充公告。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2015/5/4
1.事實發生日:104/05/042.發生緣由:鉅晶電子於104年5月4日經董事會決議，為健全財務結構及促進資金之更佳運用，擬辦理減資新台幣500,000,000元以退還股東股款，共計消除已發行股份50,000,000股，即每仟股銷除166股，減資比例為16.67%。減資後不滿一股之畸零股，按面額比率計算給付現金(元以下捨去)，所有不滿一股之畸零股授權由董事長洽特定人以面額認購。鉅晶電子原實收資本額為新台幣3,000,000,000元，減資後實收資本為新台幣2,500,000,000元。。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/9
1.事實發生日:103/10/082.發生緣由:Global Powertec CO., LTD.為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬以103年10月8日為基準日，辦理減資新台幣588,473,126元以退還股東股款，本公司減少資本前實收資本額為美金19,754,500元，依歷次增資匯率換算，折合新台幣588,473,449元，每股面額為美金10元，已發行股份總數為1,975,450股，辦理減少資本新台幣588,473,126元，消除1,975,449股後，實收資本額為美金10元，折合新台幣323元，已發行股份總數為1股。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/1
1.事實發生日:103/10/012.發生緣由:世仁投資於103年10月1日經董事會決議，為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬辦理減資新台幣954,500,000元以退還股東股款，共計消除已發行　股份95,450,000股，依股東所持股份比例減少之。世仁投資原實收資本額為新台幣3,499,087,200元，減資後實收資本為新台幣2,544,587,200元。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:世仁投資預計減資基準日：待股東會決議後另召開董事會訂定之。<摘錄公開資訊觀測站>
　

重要公告
標題 公告類別 日期
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559370專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體結構的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 55,2004.其他應敘明事項:一種半導體結構的製造方法，包括以下步驟。提供包括多數個區塊的基底。各區塊分別包括交替排列的第一區以及第二區。於基底上形成多數個複合層。圖案化最頂層的複合層，以於基底的第一區上形成多數個複合塊。依序對區塊上的複合層以及複合塊進行移除製程，以於基底上形成階梯結構。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559455專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 51,2004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體的製造方法。於基底上依序形成複合層、第一導體層及第一頂蓋層。於基底中形成沿第一方向延伸的多個元件隔離結構，上述元件隔離結構的表面位於第一頂蓋層與基底之間。對第一頂蓋層、第一導體層、複合層以及基底進行圖案化，以於基底中形成沿第二方向延伸的多個溝槽，其中第一方向與第二方向交錯。於溝槽中形成絕緣層及第二導體層，其中絕緣層環繞而包覆第二導體層。移除第一頂蓋層，並在暴露出的絕緣層之兩側分別形成第二頂蓋層。以第二頂蓋層為罩幕，圖案化第一導體層以及複合層，以使第一導體層形成為控制閘極。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559586專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 63,2004.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層與至少一記憶胞串。介電層設置於基底上。記憶胞串包括多個記憶胞與至少一第一內連線結構。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中，且各記憶胞包括第一導線、第二導線與可變電阻結構。第二導線設置於第一導線的一側，且第二導線的上表面高於第一導線的上表面。可變電阻結構設置於第一導線與第二導線之間。在垂直相鄰的記憶胞中的可變電阻結構彼此隔離。第一內連線結構連接垂直相鄰的第一導線。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559114專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:負基準電壓產生電路2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 112,1004.其他應敘明事項:一種負基準電壓產生電路，與習知相比，可高精度地產生負基準電壓，且電路結構簡單。負基準電壓產生電路包括：開關電容器電路，具備連接第1及第2節點的電容器、連接第1節點的第1及第2開關、及連接第2節點的第3及第4開關；控制電路，產生第1至第4控制信號，以分別控制第1~第4開關。控制電路於第1期間對第1節點施加規定的正基準電壓，以對電容器充電，於異於第1期間的第2期間，在第2期間基於對電容器充電的電壓，自第2節點輸出負電壓，並藉由重複第1及第2期間，自第2節點輸出正基準電壓的反轉負電壓做為負基準電壓。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555112專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體製程設備以及預防破片的方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 54,4004.其他應敘明事項:一種半導體製程設備，其適於處理基板。半導體製程設備包括腔體、靜電吸盤、氣體交換管路、進氣排氣單元、壓力調節管路以及壓力調節閥門。靜電吸盤配置於腔體內且適於吸附基板。靜電吸盤包括圖案化溝槽。圖案化溝槽與基板之間形成圖案化氣體通道。氣體交換管路連接圖案化氣體通道。進氣排氣單元連接氣體交換管路。壓力調節管路連接於氣體交換管路與腔體之間。壓力調節閥門配置於壓力調節管路中。另提供一種預防破片的方法。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559424專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 59,8004.其他應敘明事項:提供一種半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法，包括：對晶圓進行快速熱氧化製程；以及對快速熱氧化製程後的晶圓進行表面光電壓的測量。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555179專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:隔離結構及具有其之非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 57,6004.其他應敘明事項:一種隔離結構的製造方法，適用於非揮發性記憶體的製程中。此方法是提供基底，並於基底上依序形成介電層、導體層及硬罩幕層。圖案化硬罩幕層及導體層，而形成暴露出介電層的第一溝槽。於基底上形成第一襯層。移除第一溝槽所暴露的第一襯層及介電層，以暴露基底。於導體層及硬罩幕層的側壁形成間隙壁。以具有間隙壁的導體層及硬罩幕層為罩幕，移除部分基底，以形成第二溝槽。之後於第二溝槽中形成一隔離層，其中導體層之間的間距大於第二溝槽的寬度。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555082專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:圖案化方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 55,2004.其他應敘明事項:一種圖案化方法。提供材料層。於材料層上形成依序包括第一罩幕層與第一光阻層的多個罩幕結構。於材料層上共形地形成覆蓋罩幕結構的第二罩幕層。於罩幕結構間形成第一犧牲層。移除部份第二罩幕層而暴露第一光阻層，以於罩幕結構間形成第一U型罩幕層。移除第一光阻層與第一犧牲層。於材料層上共形地形成具有第一表面與低於第一表面的第二表面的第三罩幕層。於第三罩幕層的第二表面上形成第二犧牲層。移除部份第三罩幕層而暴露第一U型罩幕層的突出部，以形成第二U型罩幕層。以第二U型罩幕層的突出部為罩幕，對材料層圖案化。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555066專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 57,7004.其他應敘明事項:本發明提出了一種半導體元件的製作方法，其步驟包含：在基底上形成一閘極堆疊結構，其包含一浮動閘、一閘極間介電層、一控制閘、以及一金屬層，在閘極堆疊結構上形成一共形襯層，在襯層上覆蓋一遮罩層，其中遮罩層低於金屬層使得部分襯層裸露而出，以及進行一氮化步驟將裸露的襯層轉化成氮化襯層，使得閘極堆疊結構中至少包含金屬層的部分會為氮化襯層所覆蓋。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559456專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:浮置閘極與非揮發性記憶胞的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 40,6004.其他應敘明事項:一種浮置閘極的製造方法，包括下列步驟。提供具有多 個隔離結構的基底，隔離結構的頂面高於基底的頂面。於基底上形成第一導體層。於第一導體層上形成犧牲層。移除部份犧牲層，而保留隔離結構之間的第一導體層上的犧牲層。以犧牲層為罩幕，移除部份第一導體層，以於相鄰的隔離結構之間形成導體結構。移除犧牲層。於基底上形成第二導體層，第二導體層電性連接導體結構。以及圖案化第二導體層與導體結構，以形成浮置閘極。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2298048專 其他 2016/12/30
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2298048專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶體裝置及其讀出方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/233.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 86,8284.其他應敘明事項:一種非揮發性半導體記憶體裝置,從每個記憶單元讀出三次以上之奇數次的資料以根據多數決法則決定並輸出資料數值,包括:3以上之奇數個鎖存電路,每個鎖存電路包括一電容,每個鎖存電路之該電容選擇性地依序保持從每個記憶單元讀出該奇數次之該資料其中一者的電壓;以及一控制電路,在每一該奇數個鎖存電路之該電容選擇性地依序儲存從每一該複數個記憶單元讀出該奇數次之該資料其中一者的電壓之後,並聯連接該奇數個鎖存電路的電容,根據並聯連接之該奇數個鎖存電路的電容的合成電壓並藉由該多數決法則決定該資料數值。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2197062專 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其讀出方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/243.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 53,6594.其他應敘明事項:本發明提供一種可防止通道升壓、防止電流從位元線流至源極線且縮短資料讀取所需的感測時間的非揮發性半導體裝置及其讀出方法。此非揮發性半導體裝置包括：複數的記憶體串，由分別連接至各字元線的複數記憶胞串連而成，每個記憶體串透過第一及第二選擇閘電晶體連接於位元線與源極線之間；控制電路，控制第一及第二選擇閘電晶體，使得當字元線的電壓上升至既定的位準用以讀出記憶胞中的資料時，第一選擇閘電晶體導通且第二選擇閘電晶體關閉的第一狀態以及第一選擇閘電晶體關閉且第二選擇閘電晶體導通的第二狀態交互產生。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 6017593專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:負基準電壓產生電路及負基準電壓產生系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/073.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 241,7474.其他應敘明事項:本發明提供一種產生負基準電壓的負基準電壓產生電路。所述負基準電壓產生電路包括：差動放大器，具有非反相輸入端子、反相輸入端子及輸出端子且是以正側電源電壓與負側電源電壓所驅動的差動放大器，從所述輸出端子經由第　一電阻連接所述非反相輸入端子，並從所述輸出端子經由第二電阻連接所述反相輸入端子；第一二極體，具有連接所述差動放大器的非反相輸入端子的陰極及接地的陽極；多個第二二極體，分別具有連接規定連接點的陰極與接地的陽極，且彼此並聯連接；以及第三電阻，連接在所述連接點與所述差動放大器的反相輸入端子之間。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 5982510專利 其他 2016/12/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電壓產生電路、調節器電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/233.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 240,4424.其他應敘明事項:本發明的高電壓產生電路包括：電荷泵電路，進行升壓至比電源電壓高的高電壓；以及輸出電壓控制電路，以使經升壓的上述高電壓變成規定目標電壓的方式進行控制，上述輸出電壓控制電路包括至少2個無偏移比較器電路、或至少1個無偏移比較器電路及至少1個差動放大器，上述無偏移比較器電路包括：耦合電容器，輸入與上述高電壓對應的電壓；差動放大器，將來自上述耦合電容器的電壓與規定的參考電壓進行比較，並將比較結果電壓輸出至上述電荷泵電路；以及多個開關，分別連接於上述差動放大器，用以消除上述差動放大器的偏移。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9461156專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:記憶體結構及其操作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/043.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 246,6324.其他應敘明事項:本發明提出一種記憶體結構及其操作方法。記憶體結構包括雙向三極體與記憶胞。記憶胞電性連接於雙向三極體。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9424934專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置與寫入方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/123.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 252,2744.其他應敘明事項:一種非揮發性半導體記憶裝置，包括控制處理器、寫入控制器、電壓產生電路以及切換電路。控制處理器用以產生並輸出一控制資料並且實施一程式碼以寫入資料，其中資料包括一字元線指定指令以及一電壓源指定資料。寫入控制器用以解碼控制資料並且產生字元線指定指令的一控制信號以及電壓源指定資料的一控制信號。電壓產生電路用以產生寫入資料的複數個電壓。切換電路用以依據字元線指定指令之控制信號以及電壓源指定資料之控制信號，選擇複數個電壓之中對應電壓源指定資料的一電壓，並且對應字元線指定指令輸出選擇的電壓。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9466605專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 215,3634.其他應敘明事項:本發明提供一種非揮發性記憶體的製造方法。提供包括第一區與第二區的基底，並對第一區進行第一圖案化步驟以在第一區中形成多個閘極堆疊結構。之後，形成覆蓋每一閘極堆疊結構的側壁與上表面之第一側壁氧化層，並於第一側壁氧化層上形成保護層。接著，對第二區進行離子植入製程，再對第二區進行第二圖案化步驟以在第二區中形成多個閘極結構。然後，形成覆蓋每一閘極結構的側壁之第二側壁氧化層。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9437600專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體閘極結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/063.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 228,8114.其他應敘明事項:本發明提供一種快閃記憶體閘極結構的製作方法，包含：首先提供一基底，再依序形成一第一絕緣層、一第一導電層和一第二絕緣層覆蓋基底，然後在第一導電層和第二絕緣層內形成至少一第一溝渠，之後形成一第二導電層和一遮罩層覆蓋第二絕緣層，其中第二導電層填滿第一溝渠，接續形成複數個圖案化遮罩層，接著於各個圖案化遮罩層之兩側各形成一側壁子，最後以圖案化遮罩層與側壁子為遮罩蝕刻第　一導電層，直至第一絕緣層曝露出來，以形成一第一閘極結構和一第二閘極結構。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9478741專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/253.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 167,9604.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層、多個記憶胞及內連線結構。介電層設置於基底上。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中，且各個記憶胞包括第一電極、第二電極及可變電阻結構。第二電極設置於第一電極上。可變電阻結構設置於第一電極與第二電極之間。在垂直相鄰的兩個記憶胞中，位於上方的記憶胞的第一電極與位於下方的記憶胞的第二電極設置於相鄰的可變電阻結構之間且彼此隔離。內連線結構設置於介電層中且將記憶胞的第一電極進行連接。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9466522專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體結構的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 206,7994.其他應敘明事項:一種半導體結構的製造方法，包括以下步驟。提供包括多數個區塊的基底。各區塊分別包括交替排列的第一區以及第二區。於基底上形成多數個複合層。圖案化最頂層的複合層，以於基底的第一區上形成多數個複合塊。依序對區塊上的複合層以及複合塊進行移除製程，以於基底上形成階梯結構。<摘錄公開資訊觀測站>
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訪客留言─力晶

來看看力晶這檔股票
當年黯然下櫃的力晶,在經歷轉型成晶圓代工加上近年DRAM翻身後,股價越來越亮麗,不知後續力晶的表現是否能如市場所言持續保持獲利,股價能否持續有好表現,還請各位大大不吝提供建議,以為小妹買賣參考,甘溫呦^^
2015-03-17 10:42 小玉 回覆數(0)  
 
買力晶
要賣的請聯絡!
2013-05-30 22:31 venshian 回覆數(0)  
 
我要詢價，力晶目前的行情？
我要詢價
2012-12-13 10:29 ArBin 回覆數(0)  
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