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公司新聞
標題 訊息來源 日期
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關 公開資訊觀測站 2017/7/7
公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關資訊 1.事實發生日:106/07/072.發生緣由:鉅晶電子股份有限公司董事會決議通過參與廠房標售案。3.因應措施:無4.其他應敘明事項:依董事會決議內容授權董事長執行投標相關事宜，交易確定後再行補充公告。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2015/5/4
1.事實發生日:104/05/042.發生緣由:鉅晶電子於104年5月4日經董事會決議，為健全財務結構及促進資金之更佳運用，擬辦理減資新台幣500,000,000元以退還股東股款，共計消除已發行股份50,000,000股，即每仟股銷除166股，減資比例為16.67%。減資後不滿一股之畸零股，按面額比率計算給付現金(元以下捨去)，所有不滿一股之畸零股授權由董事長洽特定人以面額認購。鉅晶電子原實收資本額為新台幣3,000,000,000元，減資後實收資本為新台幣2,500,000,000元。。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/9
1.事實發生日:103/10/082.發生緣由:Global Powertec CO., LTD.為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬以103年10月8日為基準日，辦理減資新台幣588,473,126元以退還股東股款，本公司減少資本前實收資本額為美金19,754,500元，依歷次增資匯率換算，折合新台幣588,473,449元，每股面額為美金10元，已發行股份總數為1,975,450股，辦理減少資本新台幣588,473,126元，消除1,975,449股後，實收資本額為美金10元，折合新台幣323元，已發行股份總數為1股。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/1
1.事實發生日:103/10/012.發生緣由:世仁投資於103年10月1日經董事會決議，為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬辦理減資新台幣954,500,000元以退還股東股款，共計消除已發行　股份95,450,000股，依股東所持股份比例減少之。世仁投資原實收資本額為新台幣3,499,087,200元，減資後實收資本為新台幣2,544,587,200元。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:世仁投資預計減資基準日：待股東會決議後另召開董事會訂定之。<摘錄公開資訊觀測站>
　

重要公告
標題 公告類別 日期
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9478552專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:靜態隨機存取記憶體與其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/253.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 174,9424.其他應敘明事項:本發明提供一種靜態隨機存取記憶體與其製造方法。透過將特定閘極結構形成為具有下凹型式閘極結構，調整不同閘極結構之有效通道寬度大小比例，而提高靜態隨機存取記憶體之表現。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9508138專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:偵測微影熱點的方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/293.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 203,3534.其他應敘明事項:本發明提出了一種偵測微影熱點的方法，其步驟包含：接收一佈局圖形資料，對該佈局圖形資料進行空間影像模擬以析取出多種空間影像強度指數，根據一或多種該些空間影像強度指數的組合產生出多種空間影像偵測子，再根據該些空間影像偵測子的數值來判定出所對應的微影熱點位置與種類。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9502969專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:負基準電壓產生電路2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/223.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 211,9694.其他應敘明事項:一種負基準電壓產生電路，與習知相比，可高精度地產生負基準電壓，且電路結構簡單。負基準電壓產生電路包括：開關電容器電路，具備連接第1及第2節點的電容器、連接第1節點的第1及第2開關、及連接第2節點的第3及第4開關；控制電路，產生第1至第4控制信號，以分別控制第1~第4開關。控制電路於第1期間對第1節點施加規定的正基準電壓，以對電容器充電，於異於第1期間的第2期間，在第2期間基於對電容器充電的電壓，自第2節點輸出負電壓，並藉由重複第1及第2期間，自第2節點輸出正基準電壓的反轉負電壓做為負基準電壓。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9496418專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/153.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 260,7564.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體，包括基底、第一導體層、第二導體層、圖案化硬罩幕層、第三導體層、第一摻雜區及第二摻雜區。第一導體層與第二導體層彼此分離設置於基底上。圖案化硬罩幕層設置於第一導體層上，且暴露出第一導體層的尖端。第三導體層設置於第一導體層遠離第二導體層的一側的基底上。第三導體層位於部分第一導體層上並覆蓋尖端，且第三導體層與第一導體層相互隔離。第一摻雜區設置於第三導體層下方的基底中。第二摻雜區設置於第二導體層遠離第一導體層的一側的基底中。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9484341專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:金屬氧化物金屬電容器電路及其半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 269,3494.其他應敘明事項:本發明提供一種使用形成於基板上的金屬電極藉由多個電容器形成的電容器電路，以使得與習知技術相比可以更精確地調整電容器的電容。MOM電容器包含分別藉由透過基板上的絕緣薄膜面向彼此的多對金屬電極形成的多個MOM（金屬氧化物金屬）電容器。MOM電容器電路是以MOM電容器的金屬電極對中的每一者經由連接導體連接至第一端子及第二端子的方式並藉由至少一個電容器元件形成；以及至少一個開關元件，其連接至所述多個金屬電極以及第一端子及第二端子中的至少一者，其中所述MOM電容器電路的電容是藉由接通/斷開所述開關元件而進行調整。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9460933專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:圖案化方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/043.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 217,4474.其他應敘明事項:一種圖案化方法。提供材料層。於材料層上形成依序包括第一罩幕層與第一光阻層的多個罩幕結構。於材料層上共形地形成覆蓋罩幕結構的第二罩幕層。於罩幕結構間形成第一犧牲層。移除部份第二罩幕層而暴露第一光阻層，以於罩幕結構間形成第一U型罩幕層。移除第一光阻層與第一犧牲層。於材料層上共形地形成具有第一表面與低於第一表面的第二表面的第三罩幕層。於第三罩幕層的第二表面上形成第二犧牲層。移除部份第三罩幕層而暴露第一U型罩幕層的突出部，以形成第二U型罩幕層。以第二U型罩幕層的突出部為罩幕，對材料層圖案化。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9490349專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/083.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 161,7804.其他應敘明事項:本發明提出了一種半導體元件的製作方法，其步驟包含：在基底上形成一閘極堆疊結構，其包含一浮動閘、一閘極間介電層、一控制閘、以及一金屬層，在閘極堆疊結構上形成一共形襯層，在襯層上覆蓋一遮罩層，其中遮罩層低於金屬層使得部分襯層裸露而出，以及進行一氮化步驟將裸露的襯層轉化成氮化襯層，使得閘極堆疊結構中至少包含金屬層的部分會為氮化襯層所覆蓋。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9484349專利 其他 2016/12/29
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:靜態隨機存取記憶體2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 239,7414.其他應敘明事項:一種靜態隨機存取記憶體，包括至少一個靜態隨機存取記憶胞。靜態隨機存取記憶胞的閘極佈局包括第一至第四條狀摻雜區、凹入式閘極線、第一閘極線及第二閘極線。第一至第四條狀摻雜區依序設置於基底中且彼此分離。凹入式閘極線相交於第一至第四條狀摻雜區。第一至第四條狀摻雜區在與凹入式閘極線的相交處斷開。第一閘極線相交於第一條狀摻雜區與第二條狀摻雜區。第一條狀摻雜區與第二條狀摻雜區在與第一閘極線的相交處斷開。第二閘極線相交於第三條狀摻雜區與第四條狀摻雜區。第三條狀摻雜區與第四條狀摻雜區在與第二閘極線的相交處斷開。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 5986170專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:承載治具2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/08/123.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 226,8404.其他應敘明事項:一種承載治具，適於供多個物件插置，這些物件包括多個板體。承載治具包括兩端板及多個連接件。兩端板彼此間隔一距離。各連接件的兩端分別連接於兩端板。當這些物件插置於承載治具時，連接件支撐這些板體的側緣，以使這些板體能夠以特定角度立起於承載治具。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 5976055專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體晶圓、半導體晶片以及半導體裝置及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/293.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 223,5184.其他應敘明事項:為了解決在切割道切割半導體晶圓時探針測試墊殘留墊金屬造成的半導體晶片可靠度惡化的問題，在具有複數個半導體晶片的半導體晶圓，具有形成於半導體晶圓的切割區的複數個探針測試墊、形成於半導體晶片上的複數個直通矽晶穿孔、與將各探針測試墊連接於各直通矽晶穿孔的線路層，而被構成為：在晶圓測試後，藉由蝕刻移除複數個探針測試墊及線路層的一部分的至少其中之一。另外，半導體晶圓還具有以覆蓋移除線路層的一部分時殘留的線路層的曝露面的形式形成的保護膜。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 5976077專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:內部電源電壓產生電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/293.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 223,4404.其他應敘明事項:本發明為其以內部電源電壓成為基準電壓的方式進行調整。所述內部電源電壓產生電路包括：電荷共享電路，包含充電電容器、初始電壓調整電路及電荷重置電路，所述充電電容器經由開關電路而連接於差動放大器，且以控制電壓的電荷進行充電，所述初始電壓調整電路對充電電容器調整並施加初始電壓，所述電荷重置電路對充電電容器進行放電，當內部電源電壓較基準電壓而下降時，將具有初始電壓的充電電容器連接至差動放大器，在傳輸期間內將控制電壓的電荷傳輸至充電電容器。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083999專 其他 2016/9/30
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083999專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:一種半導體線路結構暨其製程2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/053.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 83,4094.其他應敘明事項:本發明提出了一種半導體線路結構暨其製程，其製程步驟包含提供一基底，該基底包含一目標層與一硬遮罩層、在該硬遮罩層上形成圖形化的大小內核體群組、在該基底與該些大小內核體上共形地形成一間隙壁材質層、在間隙壁材質層的溝槽中形成複數個填充體、進行一第一蝕刻製程去除裸露的該間隙壁材質層、以該些填充體為遮罩進行一第二蝕刻製程圖形化該硬遮罩層、以及，以該圖形化硬遮罩層為遮罩進行一第三蝕刻製程圖形化該導體層。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083219專 其他 2016/9/30
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2083219專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體記憶裝置及其ID碼及上位位址寫入方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/053.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 81,3174.其他應敘明事項:快閃記憶體的半導體晶片D1~DN層疊而呈多晶片封裝(MCP)，每個半導體晶片D1~DN包括用以儲存ID碼與上位位址的快閃記憶體的記憶胞陣列。ID碼於組裝處理前寫入記憶胞陣列20的熔絲資料區20F。根據本發明，ID碼與上位位址可以被分配且簡單地寫入多晶片封裝中的每個半導體晶片，而相比於習知技術不增加半導體晶片尺寸。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9397183專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/193.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 344,9834.其他應敘明事項:本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，該基底上具有一第一閘極層、一第一介電層以及一淺溝隔離(shallow trench isolation,STI)環繞該基底、該第一閘極層及該第一介電層。然後去除該第一介電層、形成一第一側壁子於第一閘極層上方之淺溝隔離側壁以及利用第一側壁子為遮罩去除部分第一閘極層及部分基底以形成一第一開口並同時定義出一第一閘極結構及一第二閘極結構。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9368396專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:介層窗製程用的溝填處理方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 168,4004.其他應敘明事項:一種介層窗製程用的溝填處理方法，包括提供基底，基底中已形成有多個開口，基底可區分為圖案密集區與圖案疏鬆區，其中圖案密集區的開口圖案密度大於圖案疏鬆區的開口圖案密度；於基底上形成正型光阻層，以填入該些開口，其中正型光阻層在圖案疏鬆區表面的厚度大於圖案密集區表面的厚度；只對基底表面的正型光阻層進行曝光；對經曝光的正型光阻層進行顯影，而在多個開口中形成溝填材料層，其中溝填材料層在圖案密集區與圖案疏鬆區具有相同厚度；在表面塗布反應試劑，形成反應層；以及利用溶劑清除反應層，而在溝填材料層上頂蓋層。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9419053專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體結構及電阻式隨機存取記憶體的操作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/08/163.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 192,7234.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體結構，包括第一電晶體、第二電晶體與電阻式隨機存取記憶胞串。藉由第一電晶體的第一端子與第二電晶體電性連接，而使得第一電晶體與第二電晶體串聯。電阻式隨機存取記憶胞串包括彼此電性連接的多個記憶胞，且電性連接至第一電晶體的第二端子。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9391271專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/123.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 169,2094.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層與至少一記憶胞串。介電層設置於基底上。記憶胞串包括多個記憶胞與至少一第一內連線結構。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中，且各記憶胞包括第一導線、第二導線與可變電阻結構。第二導線設置於第一導線的一側，且第二導線的上表面高於第一導線的上表面。可變電阻結構設置於第一導線與第二導線之間。在垂直相鄰的記憶胞中的可變電阻結構彼此隔離。第一內連線結構連接垂直相鄰的第一導線。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9397562專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:負基準電壓產生電路及負基準電壓產生系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/193.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 218,3874.其他應敘明事項:本發明提供一種產生負基準電壓的負基準電壓產生電路。所述負基準電壓產生電路包括：差動放大器，具有非反相輸入端子、反相輸入端子及輸出端子且是以正側電源電壓與負側電源電壓所驅動的差動放大器，從所述輸出端子經由第一電阻連接所述非反相輸入端子，並從所述輸出端子經由第二電阻連接所述反相輸入端子；第一二極體，具有連接所述差動放大器的非反相輸入端子的陰極及接地的陽極；多個第二二極體，分別具有連接規定連接點的陰極與接地的陽極，且彼此並聯連接；以及第三電阻，連接在所述連接點與所述差動放大器的反相輸入端子之間。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9406784專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:隔離結構及具有其之非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/08/023.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 222,2254.其他應敘明事項:一種隔離結構的製造方法，適用於非揮發性記憶體的製程中。此方法是提供基底，並於基底上依序形成介電層、導體層及硬罩幕層。圖案化硬罩幕層及導體層，而形成暴露出介電層的第一溝槽。於基底上形成第一襯層。移除第一溝槽所暴露的第一襯層及介電層，以暴露基底。於導體層及硬罩幕層的側壁形成間隙壁。以具有間隙壁的導體層及硬罩幕層為罩幕，移除部分基底，以形成第二溝槽。之後於第二溝槽中形成一隔離層，其中導體層之間的間距大於第二溝槽的寬度。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 9391115專利 其他 2016/9/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:CMOS 影像感測單元及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/123.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 206,9834.其他應敘明事項:一種CMOS 影像感測單元及其製造方法。所述影像感測單元包括感光二極體、轉移閘、重置閘、源極隨耦閘、轉移閘與重置閘之間的浮汲極區，以及PIP 型電容器，其中PIP 型電容器的複晶矽下電極與浮汲極區和源極隨耦閘電性連接，而兼作為浮汲極區和源極隨耦閘之間的內連線。所述製造方法包括：在浮汲極區和源極隨耦閘上形成接觸窗，然後形成PIP 型電容器，其複晶矽下電極與各接觸窗連接。<摘錄公開資訊觀測站>
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訪客留言─力晶

來看看力晶這檔股票
當年黯然下櫃的力晶,在經歷轉型成晶圓代工加上近年DRAM翻身後,股價越來越亮麗,不知後續力晶的表現是否能如市場所言持續保持獲利,股價能否持續有好表現,還請各位大大不吝提供建議,以為小妹買賣參考,甘溫呦^^
2015-03-17 10:42 小玉 回覆數(0)  
 
買力晶
要賣的請聯絡!
2013-05-30 22:31 venshian 回覆數(0)  
 
我要詢價，力晶目前的行情？
我要詢價
2012-12-13 10:29 ArBin 回覆數(0)  
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