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公司新聞
標題 訊息來源 日期
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關 公開資訊觀測站 2017/7/7
公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關資訊 1.事實發生日:106/07/072.發生緣由:鉅晶電子股份有限公司董事會決議通過參與廠房標售案。3.因應措施:無4.其他應敘明事項:依董事會決議內容授權董事長執行投標相關事宜，交易確定後再行補充公告。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2015/5/4
1.事實發生日:104/05/042.發生緣由:鉅晶電子於104年5月4日經董事會決議，為健全財務結構及促進資金之更佳運用，擬辦理減資新台幣500,000,000元以退還股東股款，共計消除已發行股份50,000,000股，即每仟股銷除166股，減資比例為16.67%。減資後不滿一股之畸零股，按面額比率計算給付現金(元以下捨去)，所有不滿一股之畸零股授權由董事長洽特定人以面額認購。鉅晶電子原實收資本額為新台幣3,000,000,000元，減資後實收資本為新台幣2,500,000,000元。。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/9
1.事實發生日:103/10/082.發生緣由:Global Powertec CO., LTD.為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬以103年10月8日為基準日，辦理減資新台幣588,473,126元以退還股東股款，本公司減少資本前實收資本額為美金19,754,500元，依歷次增資匯率換算，折合新台幣588,473,449元，每股面額為美金10元，已發行股份總數為1,975,450股，辦理減少資本新台幣588,473,126元，消除1,975,449股後，實收資本額為美金10元，折合新台幣323元，已發行股份總數為1股。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/1
1.事實發生日:103/10/012.發生緣由:世仁投資於103年10月1日經董事會決議，為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬辦理減資新台幣954,500,000元以退還股東股款，共計消除已發行　股份95,450,000股，依股東所持股份比例減少之。世仁投資原實收資本額為新台幣3,499,087,200元，減資後實收資本為新台幣2,544,587,200元。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:世仁投資預計減資基準日：待股東會決議後另召開董事會訂定之。<摘錄公開資訊觀測站>
　

重要公告
標題 公告類別 日期
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571938專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 52,2004.其他應敘明事項:一種半導體元件及其製造方法，其製造方法包括下列步驟。提供基底。形成閘介電層以覆蓋部分基底。形成閘極位於閘介電層上。對部分閘極進行第一摻雜製程以在閘極形成多個閘極摻雜區和至少一個閘極未摻雜區，至少一個閘極未摻雜區位於閘極摻雜區之間且至少一個閘極未摻雜區的寬度總合為第一寬度。形成介電層以覆蓋閘極的頂表面和側壁。對基底進行第二摻雜製程以形成源極區和汲極區，其中源極區和汲極區之間的最短距離為第二寬度。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571626專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:具有奈米腔的集成生物感測器及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 118,4004.其他應敘明事項:一種生物感測器，包含有一基底，其上設有一光感測區。在基底上設有一第一介電層、一擴散阻擋層、一第二介電層。第二介電層中設有一溝槽凹陷結構，其內設有一濾光材料層，被一上蓋層封蓋住。上蓋層上設有一第一鈍化層以及一奈米腔結構層，其中於奈米腔結構層中，設有一奈米腔。於奈米腔的側壁及底部設有一第二鈍化層。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571879專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體裝置及資料抹除方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 52,6004.其他應敘明事項:快閃記憶體及其資料抹除方法。資料抹除方法包括：設定依序遞增的多個抹除電壓，並分別依據抹除電壓對快閃記憶體的多個記憶胞執行多數次的資料抹除動作；記錄最後一次抹除動作對應的抹除電壓為記錄抹除電壓；設定依序遞增的多個讀取電壓，並依據讀取電壓針對記憶胞執行多個資料讀取動作，並記錄最後一次讀取動作的最後讀取電壓值；設定最終抹除電壓以對記憶胞執行最終抹除動作，其中最終抹除電壓的電壓值等於抹除驗證電壓的電壓值、最後讀取電壓值以及記錄抹除電壓的電壓值的和。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572024專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 58,6004.其他應敘明事項:一種半導體元件，包括：基底、至少一感測器、介電層、至少一光導管結構、至少一焊墊、遮蔽層以及保護層。感測器位於第一區的基底中。介電層位於基底上。光導管結構位於第一區的介電層中。光導管結構對應於感測器。焊墊位於第二區的介電層中。遮蔽層位於介電層上，其中遮蔽層環繞光導管結構。保護層位於遮蔽層上。焊墊上方的介電層、遮蔽層以及保護層中具有至少一焊墊開口，以暴露對應的焊墊的頂面。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572023專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:ＣＭＯＳ影像感測單元及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,2004.其他應敘明事項:一種CMOS影像感測單元及其製造方法。所述影像感測單元包括感光二極體、轉移閘、重置閘、源極隨耦閘、轉移閘與重置閘之間的浮汲極區、以及PIP型電容器，其中PIP型電容器的複晶矽下電極與浮汲極區和源極隨耦閘電性連接，而兼作為浮汲極區和源極隨耦閘之間的內連線。所述製造方法包括：在浮汲極區和源極隨耦閘上形成接觸窗，然後形成PIP型電容器，其複晶矽下電極與各接觸窗連接。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571970專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:靜態隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$53,0004.其他應敘明事項:本發明提供一種靜態隨機存取記憶體，包括第一反相器、第二反相器、第一通道閘電晶體及第二通道閘電晶體。第一反相器包括第一上拉電晶體與第一下拉電晶體。第二反相器包括第二上拉電晶體與第二下拉電晶體。第一反相器和第二反相器係呈交互耦合連接。第一通道閘電晶體之汲極耦接於第一反相器之輸出端，第一通道閘電晶體之源極耦接於第一位元線。第二通道閘電晶體之汲極耦接於第二反相器之輸出端，第二通道閘電晶體之源極耦接於第二位元線。第一上拉電晶體與第二上拉電晶體為設置於元件隔離結構上的鑲嵌型電晶體。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572135專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電壓產生電路、調節器電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 102,4004.其他應敘明事項:本發明的高電壓產生電路包括：電荷泵電路，進行升壓至比電源電壓高的高電壓；以及輸出電壓控制電路，以使經升壓的上述高電壓變成規定目標電壓的方式進行控制，上述輸出電壓控制電路包括至少2個無偏移比較器電路、或至少1個無偏移比較器電路及至少1個差動放大器，上述無偏移比較器電路包括：耦合電容器，輸入與上述高電壓對應的電壓；差動放大器，將來自上述耦合電容器的電壓與規定的參考電壓進行比較，並將比較結果電壓輸出至上述電荷泵電路；以及多個開關，分別連接於上述差動放大器，用以消除上述差動放大器的偏移。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572014專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,2004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體，包括基底、堆疊結構、二個通道結構及二層電荷儲存層。堆疊結構設置於基底上，且包括多層第一導體層、多層介電層及二層第二導體層。介電層與第一導體層交替地堆疊。第二導體層分離設置於介電層中最上方的一者上。通道結構設置於堆疊結構兩側的基底上。電荷儲存層設置於堆疊結構與通道結構之間。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571701專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:偵測微影熱點的方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 67,5604.其他應敘明事項:本發明提出了一種偵測微影熱點的方法，其步驟包含：接收一佈局圖形資料，對該佈局圖形資料進行空間影像模擬以析取出多種空間影像強度指數，根據一或多種該些空間影像強度指數的組合產生出多種空間影像偵測子，再根據該些空間影像偵測子的數值來判定出所對應的微影熱點位置與種類。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572074專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 58,2004.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體，包括電阻式隨機存取記憶胞串。電阻式隨機存取記憶胞串包括基底、第一導電型導體層與多個堆疊結構。第一導電型導體層設置於基底上。堆疊結構分離設置於第一導電型導體層上。各個堆疊結構包括第二導電型沉積層、電阻式隨機存取記憶胞與第一導線。第二導電型沉積層設置於第一導電型導體層上。電阻式隨機存取記憶胞設置於第二導電型沉積層上。第一導線設置於電阻式隨機存取記憶胞上。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571974專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體電晶體與快閃記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 66,4004.其他應敘明事項:一種快閃記憶體，設置於基底上。快閃記憶體具有半導體電晶體。此半導體電晶體具有堆疊閘極結構、淡摻雜區與間隙壁。堆疊閘極結構具有依序設置於基底上的閘介電層、第一導體層、介電層以及第二導體層。介電層周圍具有開口使第一導體層電性連接第二導體層。淡摻雜區設置於堆疊閘極結構旁、且位於開口下的基底中。間隙壁設置於堆疊閘極結構側壁。利用控制開口下第一導體層的高度可調整間隙壁的寬度，以及利用介電層作為罩幕層設置淡摻雜區，可增加淡摻雜區裕度，得到良好的電性。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571968專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:靜態隨機存取記憶體與其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 47,4004.其他應敘明事項:本發明提供一種靜態隨機存取記憶體與其製造方法。透過將特定閘極結構形成為具有下凹型式閘極結構，調整不同閘極結構之有效通道寬度大小比例，而提高靜態隨機存取記憶體之表現。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572016專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體結構及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,0004.其他應敘明事項:一種半導體結構及其製造方法。半導體結構包括基底、多數層複合層以及至少一複合柱。基底包括第一區以及第二區。複合層位於基底上。各複合層包括至少一裸露表面以及至少一側壁。裸露表面以及側壁形成至少一階梯結構。複合柱位於複合層的裸露表面上。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571973專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 44,4004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體的製造方法，包括：在基底上依序形成介電層、第一導體層以及蝕刻終止層。圖案化蝕刻終止層，以形成開口。於基底上形成填滿開口的第　二導體層。於第二導體層上形成頂蓋層，並圖案化頂蓋層、第二導體層以及蝕刻終止層，以形成堆疊結構並暴露出第一導體層。於堆疊結構的側壁形成間隙壁，並於堆疊結構一側的第一導體層上形成圖案化的罩幕層。移除間隙壁後，以圖案化的頂蓋層與圖案化的罩幕層為罩幕，移除部分第一導體層而形成選擇閘極與浮置閘極。間隙壁可用來定義選擇閘極與浮置閘極的間距。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571710專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:曝光機台對準光源裝置內的模組作動監控方法及監控系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 58,2004.其他應敘明事項:一種曝光機台對準光源裝置內的模組作動監控方法，包括下列步驟。提供一對準光源裝置。對準光源裝置包括至少一模組。藉由非接觸式位置量測法量測模組的絕對偏移值。判斷此絕對偏移值是否超過容許範圍。當所量測的絕對偏移值超過容許範圍時，產生一異常訊號。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I572073專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 59,2004.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層、多個記憶胞及內連線結構。介電層設置於基底上。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中，且各個記憶胞包括第一電極、第二電極及可變電阻結構。第二電極設置於第一電極上。可變電阻結構設置於第一電極與第二電極之間。在垂直相鄰的兩個記憶胞中，位於上方的記憶胞的第一電極與位於下方的記憶胞的第二電極設置於相鄰的可變電阻結構之間且彼此隔離。內連線結構設置於介電層中且將記憶胞的第一電極進行連接。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571908專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:製程控制方法與製程控制系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 65,2004.其他應敘明事項:一種製程控制方法，適用於對批次的多個晶圓進行沉積製程，包括：根據機台的歷史資訊與批次的產品資訊來決定批次的晶圓的擺放位置；根據批次的晶圓的穢韘鼽m與機台的歷史資訊來求出各擺放位置的目標值；根據機台的歷史資訊、批次的產品資訊以及各擺放位置的目標值來求出製程參數；以及根據批次的晶圓的擺放位置與製程參數進行沉積製程。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I566335專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:靜態隨機存取記憶體2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 45,6004.其他應敘明事項:一種靜態隨機存取記憶體，包括至少一個靜態隨機存取記憶胞。靜態隨機存取記憶胞的閘極佈局包括第一至第四條狀摻雜區、凹入式閘極線、第一閘極線及第二閘極線。第一至第四條狀摻雜區依序設置於基底中且彼此分離。凹入式閘極線相交於第一至第四條狀摻雜區。第一至第四條狀摻雜區在與凹入式閘極線的相交處斷開。第一閘極線相交於第一條狀摻雜區與第二條狀摻雜區。第一條狀摻雜區與第二條狀摻雜區在與第一閘極線的相交處斷開。第二閘極線相交於第三條狀摻雜區與第四條狀摻雜區。第三條狀摻雜區與第四條狀摻雜區在與第二閘極線的相交處斷開。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I566064專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:一種爐管製程的派工控制方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,2004.其他應敘明事項:一種爐管製程的派工控制方法，包括下列步驟。決定有效派工區間。決定進入爐管的批次形成站點。當多個批貨進入爐管的前N站機台時，依照第一批貨的優先權進行派工。於有效派工區間中，搜索與第一批貨的爐管條件相同的第二批貨。提高第二批貨的優先權，使得第二批貨與第一批貨在批次形成站點時為同一批次。當第一批貨進入批次形成站點時，於批次形成站點進行派工。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I566390專利 其他 2017/3/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:能改善像素動態範圍的CMOS影像感應器2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 63,6004.其他應敘明事項:一種影像感應器，包含有一半導體基底，其具有一主表面；一移轉電晶體，包含一移轉閘極，設置於該半導體基底的該主表面上；一光感結構，設於該移轉閘極一側的該半導體基底內；一浮置擴散節點，設於該移轉閘極另一側的該半導體基底內；一重置電晶體，經由該浮置擴散節點串接於該移轉電晶體；一源極跟隨電晶體，包含一源極跟隨閘極；以及一垂直電容結構，其中該垂直電容結構具有一第一垂直電極板以及一第二垂直電極板，該第一垂直電極板係電連接該源極跟隨閘極以及該浮置擴散節點。<摘錄公開資訊觀測站>
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產業趨勢
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訪客留言─力晶

來看看力晶這檔股票
當年黯然下櫃的力晶,在經歷轉型成晶圓代工加上近年DRAM翻身後,股價越來越亮麗,不知後續力晶的表現是否能如市場所言持續保持獲利,股價能否持續有好表現,還請各位大大不吝提供建議,以為小妹買賣參考,甘溫呦^^
2015-03-17 10:42 小玉 回覆數(0)  
 
買力晶
要賣的請聯絡!
2013-05-30 22:31 venshian 回覆數(0)  
 
我要詢價，力晶目前的行情？
我要詢價
2012-12-13 10:29 ArBin 回覆數(0)  
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