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公司新聞
標題 訊息來源 日期
王不見王15年 黃崇仁、吳敏求比鄰觀禮 公開資訊觀測站 2022/7/28
科技部27日改制為國家科學及技術委員會（新國科會），總統蔡英 文、蘇揆等多位首長出席，道賀此一蔡英文任內推動組織改造的重要 里程碑。 　　雖然台上喜氣洋洋，台下貴賓席卻有些小尷尬。承辦典禮者可能不 熟悉科技業，尤其大老間的恩怨糾葛，將15年前曾發生經營權爭奪戰 的半導體界宿敵，力晶董事長黃崇仁和旺宏董事長吳敏求，安排比鄰 而坐。 　　力晶2006年因為購買旺宏12吋廠，動了入股旺宏董事會的念頭，因 此，在2007年旺宏股東會前，透過各種平台互相放話，爭取股民支持 。最後旺宏公司派雖保住董事會，也種下吳、黃二人長期心結。儘管 當年恩怨已過了15年，火車對撞的情緒不再，但兩位科技業老董仍然 王不見王，沒想到，卻在國科會掛牌儀式中，被安排坐在一起。 　　黃崇仁和吳敏求兩人直到最後一刻，才落座，像沒事人一樣比鄰觀 禮，態度卻相敬如冰，毫無互動。恐還是疫情幫了忙，透過口罩遮住 了各自表情，讓火藥味稍稍減少些。 <摘錄工商-◎必富網◎小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
上海復工復產 看到曙光 公開資訊觀測站 2022/4/26
因疫情全面封控近一個月的上海，終於傳來好消息。上海松江昨（25）日通報首次實現社會面清零，該區內有台積電、合晶、廣達、和碩等台資企業，涵蓋半導體、電子組裝等重要科技產業，也是蘋果重要的生產基地，其率先實現社會面清零，不僅為上海復工看到一線曙光，也有望讓蘋果鏈重新動起來。 據上海松江通報，松江區24日新增本土確診病例166例和無症狀感染者382例，其中的131例確診病例為此前無症狀感染者轉歸，另35例確診病例和382例無症狀感染者均在隔離管控中發現。因為沒有非隔離管控區再傳新擴散，官方宣布，松江區是上海本輪疫情以來，首次實現社會面清零。 這是上海自22日起開展社會面清零攻堅九大行動以來，首次傳出捷報。上海今日還將對所有的封控、管控和防範區域內人員，進行全員核酸篩查，徹底絕地反攻。 松江達成社會面清零，區內的台廠包括台積電松江廠已被列入上海優先復工的666家重點企業白名單，台積電在松江區設有8吋晶圓廠，維持封閉生產，穩定出貨。 半導體矽晶圓廠合晶旗下晶盟也位於當地，即便生產正常，但出貨延遲。筆電代工廠廣達在松江區建有八座廠房，18日開始復工，總數4萬名員工目前已有15%復工，逐步恢復產能。 而長三角疫情爆不停，合肥市18日起對經開區、高新區劃定三區防控以來，24日經開區再有一名陽性確診案例，疫情持續延燒，但目前還未宣布全域靜態管理。 合肥是大陸第三代半導體產業基地，設有大陸首個海峽兩岸積體電路產業合作試驗區，以聯發科、力晶集團旗下晶合集成、長鑫存儲為代表的兩岸半導體產業合作，集聚了大批台灣人才，聯發科、力晶科技、群聯、敦泰、矽力-KY等台企都落腳當地，不過所幸除了力晶集團旗下晶合是工廠之外，其餘業者都是IC設計商，多為研發與銷售人員，不會有大量員工群聚狀況，但相關業者對合肥疫情發展都相當關注。 <摘錄經濟-◎必富網◎小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
力積電：半導體可再好2～3年 公開資訊觀測站 2021/11/9
晶圓代工廠力積電總經理謝再居表示，力積電今年以來晶圓廠空間 有限，但仍擠出產能做最大化生產，以產出來說每季增長一些，而且 價格調漲有遞延效應，第四季營運表現會比第三季好。在預期產能仍 供不應求情況下，力積電已與客戶簽訂2～3年長約，代表明、後兩年 營收將持續創新高。 　　力積電公告前三季合併營收458.65億元，平均毛利率39.3％，營業 利益125.51億元，歸屬母公司稅後淨利98.92億元，營收及獲利均創 下成立以來新高紀錄，每股淨利3.07元。法人看好力積電第四季營運 優於第三季，全年每股淨利可望上看4.5元，而明年在產能滿載及價 格持續調漲情況下，營收及獲利將續創新高，每股淨利可望挑戰6元 ，惟力積電不評論法人預估財務數字。 　　謝再居表示，這波半導體市場景氣還可再好個2～3年。由於產能供 不應求，力積電與多數客戶簽訂邏輯製程晶圓代工3年長約，產能及 價格敲定到2024年，記憶體因為價格變動大，所以與客戶簽約2年長 約。由此來看，力積電未來2年營運穩定成長。 　　力積電雖鎖定在特殊成熟製程，但在純晶圓代工廠排名第六，在特 殊領域擁有極高市占率，例如在手機光學防手震IC市占達75％、2M影 像感測器的安防市占達47％、電子標籤驅動IC市占達40％、物聯網應 用2Gb以下容量DRAM市占達50％。 　　謝再居表示，力積電2024年後的產能擴充將以銅鑼廠為基地，銅鑼 廠預計2023年下半年試產並開始貢獻營收，2024年後逐步開出產能至 3.5～4萬片規模。力積電與客戶簽訂長約，將可確保未來銅鑼廠營運 穩定，而力積電年底順利掛牌上市，籌得資金對於後續擴產將帶來很 大助益。 　　謝再居表示，力晶圓銅鑼廠將分二期投資建廠，第一期預估投入1 ,300～1,400億元，由開始建廠到完成4～5萬片月產能建置及導入量 產，大約需要3年時間。力積電這次上市希望籌得60億元資金，後續 辦理銀行聯貸，且未來幾年會有數百億元盈餘，客戶簽訂長約約會貢 獻100～200億元資金，所以資金運作非常有把握，至於銅鑼廠第二期 投資計畫將在2024～2025年啟動。<摘錄工商-◎必◎富◎網◎小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
力晶旗下 晶合集成拚登科創板 公開資訊觀測站 2021/5/24
台灣力晶科技旗下合肥晶合集成電路公司（簡稱晶合集成）日前向上交所遞交招股書，申請在科創板上市，將募集資金人民幣120億元（新台幣522億元），用於打造12吋晶圓製造二廠專案。 　　IPO日報報導，招股書中，晶合集成表示，公司已成為營收第三大、12吋晶圓代工產能第三大的大陸純晶圓代工企業，前面兩家是中芯國際和華虹半導體。 　　招股書內提到，晶合集成是一家專注於晶圓代工業務的企業，擁有較為成熟的90奈米製程12吋晶圓代工平台量產能力，該產品主要是應用領域為面板顯示驅動晶片。 　　公司董事長蔡國智於2020年上任，曾在美國宏碁股份、力晶科技、力積電等多家半導體公司任職。 　　截至招股書簽署之日，晶合集成前三大股東，分別為合肥建投、台灣力晶科技、合肥芯屏，各分別持股31.14%、27.44%及21.85%。 　　此外美的集團透過子公司美的創新持有5.85%股權，是第四大股東。 　　晶合集成創立於2015年5月19日，2017年10月量產，位於合肥新站高新技術產業開發區綜合保稅區內，主業為12吋晶圓代工服務，專注於積體電路製造環節，經營模式為晶圓代工業務。 　　上海證券報報導，晶合集成在招股書中表示，目前已實現150奈米至90奈米製程的12吋晶圓代工平台的量產，正在進行55奈米製程的12吋晶圓代工平台的研發，所代工的產品被廣泛應用於液晶面板、手機、消費電子等領域，獲得了眾多境內外知名半導體設計公司的認可。 　　從業績上來看，2018年到2020年，晶合集成營收人民幣2.18億元、5.34億元、15.12億元，增長迅速；淨利潤分別為人民幣-11.9億元、- 12.4億元以及-12.5億元。 　　根據招股書內容，晶合集成表示，營收和產能可排到行業第三的位置，僅次於中芯國際和華虹集團；2018年到2020年，產能分別為 7.5萬片、18.2萬片和 26.6萬片，年均複合增長率高達 88.5%。<摘錄經濟-◎必◎富◎網◎小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
彰銀主辦力積電293億聯貸 公開資訊觀測站 2020/11/18
力晶集團旗下力積電聯貸293億元昨（17）日簽約，由彰化銀行主辦並擔任額度暨擔保品管理銀行，該案為5年期的中長期融資，因此是少見完全沒有搭配商業本票發行的單純聯貸案，吸引銀行超額認貸，總計共有14家銀行合組聯貸銀行團。 　　力積電293億元聯貸，是繼兆豐銀主辦廣達12億美元聯貸案後，又一規模數百億元的科技業聯貸案，力積電聯貸資金用途部分為借新還舊，部分作為購置機器設備更新製程，以及充實中期營運週轉金。彰銀過去即主辦力積電聯貸，舊貸案規模約250億元，此次聯貸金額擴增至293億元，同樣為5年期，仍維持彰銀主辦兼管理銀行，利率則約當目前聯貸地板價1.7%上下。 　　彰銀指出，力積電293億元聯貸因各家銀行參貸踴躍，最終獲超額認貸17%，顯示力積電在晶圓代工的專業服務與營運績效，獲得各行庫一致支持與肯定。 　　由於力積電聯貸資金主要在於中長期資金運用，短期周轉金比重低，因此僅單純銀行融資，沒有搭配保證商業本票發行，對銀行來說沒有因為搭配保證商業本票發行，只能收取低於利息收益的保證手續費，導致利潤更薄的缺點。 　　該聯貸案昨天由彰銀董事長凌忠嫄代表銀行團與力積電董事長黃崇仁簽約，共同統籌主辦行為合庫、華南與兆豐銀行，其他參貸行有土銀、一銀、農業金庫、台企銀、凱基、新光、星展、台北富邦、台新及板信銀，合計共14家銀行參與。<摘錄經濟-◎必◎富◎網◎小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
愛普Q3獲利 創15季新高 公開資訊觀測站 2020/11/11
記憶體設計業者愛普公告第三季歸屬母公司稅後淨利達1.25億元創下15季度來新高，每股淨利1.70元優於預期。 　　愛普於9月26日公告出售日本子公司ZentelJapan的76％剩餘股權予力晶科技及香港商EaglestreamTechnologyHoldings，第三季合併財報中，ZentelJapan已符合IFRS5待出售處分群組定義，待出售處分群組損益將彙整表達於合併綜合損益表停業單位損益項目，所以前第三季財報為扣除ZentelJapan業績及損益後的繼續營業單位金額。 　　愛普調整後第三季合併營收5.02億元，毛利率提升至35.5％為季度新高，營業利益季增98.7％達1.57億元，與去年同期相較成長近6.5倍，歸屬母公司稅後淨利1.25億元，較上季增加66.7％，與去年同期相較成長逾6.3倍，每股淨利1.70元。 　　愛普前三季合併營收25.38億元，較去年同期成長4.1％，平均毛利率24.7％，較去年同期提升10.0個百分點，營業利益2.66億元，與去年同期虧損0.99億元相較，本業營運大幅改善，歸屬母公司稅後淨利2.36億元，與去年同期虧損4.23億元相較已由虧轉盈，每股淨利2.36元。<摘錄工商-◎必◎富◎網◎小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
晶圓代工熱 陸廠抱現金搶產能 公開資訊觀測站 2020/9/21
業界傳出，大陸官方因應美國可能最快本月底封殺中芯國際（SMIC），要求大陸境內晶圓代工廠優先供應陸系IC設計業者產能，藉此提前儲備晶片庫存、蓄積產業自主化能量，對岸IC設計廠為此火力全開，甚至出現「抱現金加價要產能」的現象，相關效應並外溢至台灣台積電、聯電、世界先進等指標廠。 晶圓代工廠近期陸續要和客戶談最新一季價格，在新價格還未拍板之際，大陸IC設計業者便提早主動加價預定產能，甚至抱現金卡位，凸顯晶圓代工產能供不應求盛況。 有業者私下透露，此次陸方採「屬地主義」，凡在大陸境內設有工廠的業者，無論台資或陸企，都希望能優先供貨大陸IC設計業者。目前全球晶圓代工產能吃緊，此舉推升市場供應更加不足，台積電、聯電、世界先進、力積電等台廠位於台灣產能更奇貨可居。 目前台企在大陸的晶圓代工廠，包括台積電的南京12吋廠與松江8吋廠，聯電轉投資和艦8吋廠與廈門聯芯12吋廠，以及力晶集團的晶合12吋廠。對於傳出大陸官方有新措施，台積電表示，無類似情況發生。聯電、力晶則表示，無法評論市場傳言。 台積電強調，該公司為公開上市公司，為永續經營並健全公司治理，經營決策都是基於商業考量，以維護股東及客戶權益。聯電則說，目前和艦月產能約8萬片，客戶需求確實很強，全產能滿載運作中；聯芯目前月產能約1.8萬片，也逼近滿載狀態。 力晶表示，晶合至今年7月底月產能為2.5萬片，滿載生產中，預計今年底月產能將達3萬片。由於晶圓代工產能供不應求態勢確立，確實有大陸IC設計業者抱現金下單爭取產能的狀況。 不具名的台灣IC設計業者證實，包括自家公司在內，有多家台灣IC設計廠陸續接獲大陸晶圓代工廠通知，將減少供應非陸系IC設計客戶產能，甚至先前預訂的產能也被刪減，尤其8吋狀況比12吋更嚴重，「大家都在瘋搶8吋晶圓代工產能」。<摘錄經濟-必富網小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
晶心科力晶搶轉單商機 公開資訊觀測站 2020/9/18
輝達收購安謀引發全球半導體業對其中立角色質疑，醞釀轉單。台灣RISC-V聯盟集結台廠晶心科（6533）、力晶等，9月25日舉行2020 RISC-V Taipei Day應用論壇，針對這波RISC-V商機，預估2025年全球將超過624億顆採用RISC-V的處理器，產值達11億美元，全力搶攻轉單商機。 　　半導體業界憂心，輝達併購完成後，除跨入AI邊緣運算及大數據分析領域，還可能切入行動裝置處理器或其他領域，加上美中科技冷戰，中國主要系統廠及IC設計廠也開始以開放式架構的RISC-V為發展重點。 　　9月25日的邊緣智慧嵌入式設計應用論壇，晶心科總經理林志明、力晶總經理王其國將進行專題演講。<摘錄經濟-必富網小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
力晶抗疫 開發DNA抗原疫苗 公開資訊觀測站 2020/9/1
力晶集團旗下轉投資智合精準醫學科技，昨（31）日發表全球第一款：針對新冠肺炎開發的DNA抗原疫苗，若未來成功，不僅可以預防新冠肺炎，還可能有治療效果。 　　力晶集團創辦人、智合董座黃崇仁強調，這款疫苗兼具治療與預防效果，可針對自身抗原產生抗體、對外來抗原產生免疫反應，與癌症免疫療法不同，希望盡快進入臨床實驗，發展出領先全球的新冠肺炎治療性疫苗。 　　黃崇仁強調，實驗中，施打智合開發出的DNA抗原疫苗，短期內可針對棘突蛋白上的幾個重要區域與其他病毒蛋白，有效激活B淋巴球，產生大量中和抗體，也能活化毒殺型T淋巴球，啟動人體免疫系統。 　　這款疫苗還需進行人體臨床實驗。但黃崇仁認為，台灣發展預防疫苗已趕不上歐美及中國大陸，智合的疫苗技術平台，可讓台灣不用靠取得別人的預防疫苗，可以發展出治療型的疫苗，授權給其他國家。 　　黃崇仁說，新冠肺炎造成各國邊境管制，更讓所有出國活動停止。施打智合研發的抗原疫苗，減少被感染的恐懼，人們可重新恢復出國，挽救航空業，也可讓觀光業恢復生機，全球經濟將因人們免除恐懼而逐漸復甦。 　　智合總經理汪嘉林表示，未來希望能與國家衛生研究院及生技中心等單位 ，組成國家隊，讓台灣在對抗新冠肺炎，做出更大的貢獻。 　　智合與中研院院士劉昉領軍的研發團隊，五年前與台北醫學大學進行產學與策略合作，開發疫苗核心平台技術。利用激活B細胞針對自身抗原產生抗體，或外來弱抗原產生高強度免疫反應，較傳統疫苗使用佐劑增強免疫反應的方式相對有效，可以針對多種疾病發展有預防兼具治療效果的疫苗。<摘錄經濟-必富網小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
黃崇仁投資飛聖航空剛領照 李世聰的騰達航空 傳解散 公開資訊觀測站 2020/8/21
本月13日力晶集團創辦人黃崇仁投資的飛聖航空剛領照經營商務專機業務，但龍巖總裁李世聰與紅粉知己賴英里共同投資的騰達航空則傳出可能解散，騰達航空總經理羅皓明表示，因為疫情影響業務很大，加上市場供過於求，公司在研究與同業合併或尋找新的買主，目前並沒有定論。 　　業界分析，經營商務機的航空公司，除了賺代管、維修與機組員訓練等費用，經營包機業務是一筆很大收入，說服大老闆將私人專機的空檔挪出來租借給其他商界人士，美國一趟來回收費上千萬台幣，公司可賺到4、50萬的服務費，但現在因為疫情，幾乎所有商務機都停飛，少了安排起降、外站加油、地勤代理與機組員安排等服務費，國外包機收入也沒了，只有偶爾會接到離島包機，一天來回收費近百萬，與長程線收入相去太遠。 　　由於申請航空執照是最費時也最專業的一段歷程，要經過五階段審查，耗時近年，業界估計，騰達這張執照至少值五千萬台幣。騰達目前代管三架飛機，業界分析以李世聰的財力，養騰達並沒困難，會想處理應該是重視營運績效的習性所致。 　　騰達是由前華航董事長趙國帥2018年3月申請籌設，2019年元月取得營業執照，去年12月16日，趙國帥帶領的經營團隊以功成身退為由集體退出，騰達當時召開臨時董事會，由賴英里代理董事長兼總經理，該月底找來曾擔任華航台北分公司總經理、駐北京首席代表的羅皓明擔任總經理，賴英里正式接任董事長。 　　據了解，趙國帥原持有騰達約5％股份，賴英里也擁有部分股權，趙國帥離職後有辦理退股。騰達管理的三架飛機中，包括李世聰擁有，有商務機勞斯萊斯之稱、價值新台幣21億的美國灣流航太G650ER長程線頂級商務機，另兩架分別為在大陸發展的孫姓台商與台中企業家私人專機。 　　新成立的飛聖航空本月13日剛取得民航局核發的普通航空業許可證（AOC），實收資本額新台幣1億，由黃崇仁擔任董事長。飛聖目前代理三架飛機，據悉其中包括尹衍樑的加拿龐巴迪新一代頂級私人飛機-全球7000/Global7000，另一架波音商務專機據悉也是尹所有，另一架則為某建商所有。黃崇仁原本規畫今年要買進一架新機，但因疫情而延宕。<摘錄工商-必富網小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
黃崇仁醫學半導體雙棲 公開資訊觀測站 2020/8/17
力晶集團創辦人黃崇仁擁有醫學博士學位，原本在醫學院任教，職涯卻在中年時大轉彎，在半導體產業打下一片天，之後又因景氣波動而摔了一跤。 　　如今，力積電走出前身力晶深陷記憶體景氣循環的泥淖，在晶圓代工領域找到新藍海，準備重新掛牌之餘，黃崇仁難忘情學醫的初心，近年投入精準醫療開發，並展開跨領域合縱連橫的能力，要為台灣智慧與精準醫療發展貢獻心力。 　　黃崇仁曾說，對於癌症的個人化治療，就是屬於精準醫學的應用之一。他並以乳癌為例，乳癌細胞外觀上長的都很像，但實際上卻是異質細胞，因而將乳癌區分不同次群組（subgroups），以利找出正確的治療方式。 　　若能透過次世代基因定序（NGS），確認病患乳癌特殊性，並找出符合特定病患個人化的治療方式，就可獲得更好的治療癒後效果。在半導體技術介入與進步下，次世代基因定序成本愈來愈下降，也更能針對個人特定疾病發生機率提供預測、預防與治療方式。 　　2016年黃崇仁還發起成立「台灣物聯網產業技術協會」，宗旨為針對物聯網技術發展，結合台灣半導體關鍵零組件及其中下游軟硬體裝置、應用服務商、物聯網平台等業者，與全球暨中國大陸各界合作，制定產業標準並推廣於兩岸和國際市場。 　　該協會並設有智慧及精準醫療、半導體、車聯網、智慧工業、智慧安全及人工智慧及大數據等六個專業委員會。<摘錄經濟-必富網小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
力晶董座 黃崇仁回鍋 公開資訊觀測站 2020/8/13
力晶科技昨（12）日公告，董事長陳瑞隆基於個人因素考量，辭去董事長及董事職務，由力晶創辦人黃崇仁回任董事長，今天生效。 力晶在2012年時，由於每股淨值轉為負數而下櫃，黃崇仁同年辭去董事長，由前經濟部部長陳瑞隆接任，不過陳瑞隆也是中石化獨立董事，今年1月初時，中石化前董座林克銘因健康因素退休，董事會推選陳瑞隆接下董座，他於3月底再兼任中石化執行長。 力晶自過去的動態隨機存取記憶體（DRAM）轉進晶圓代工領域，營運成功轉型後，為明確產業定位，2019年5月將位於台灣的三座12吋晶圓廠相關資產、業務分割讓與子公司力積電，由力積電主導台灣晶圓代工產銷。<摘錄經濟-必富網小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
力晶科技：代子公司力晶積成電子製造股份有現公司公告董事會 決議109年期中 公開資訊觀測站 2020/7/29
代子公司力晶積成電子製造股份有現公司公告董事會 決議109年期中分派現金股利除息基準日等相關事宜 1.事實發生日:109/07/282.發生緣由:依據：公司法第228條之1及子公司力晶積成電子製造股份有限公司(以下簡稱”力積電公司”)109年07月28日董事會決議。(1)董事會決議日期：109年07月28日。(2)除權、息類別（請填入「除權」、「除息」或「除權息」）：除息。(3)依分派基準日股東名簿記載股東持有股數發放股利種類及金額：A.現金股利新台幣600,000,000元(每股擬配發現金0.19322448元)B.力積電公司訂定109年08月05日為除息基準日，並依公司法第165條規定，自109年08月01日至109年08月05日止，停止股票過戶登記，欲辦理過戶之股東，務必於07月31日(星期五)以前親臨或郵寄至力積電公司股務代理部(地址：台北市大安區敦化南路二段97號地下二樓，電話：(02)2702-3999)完成驗證過戶手續，掛號郵寄者以民國109年07月31日（最後過戶日）郵戳日期為憑，始有參與配息之權利。C.本次現金股利經董事會決議通過訂定109年08月11日為現金股利發放日，屆時委由力積電公司股務代理機構群益金鼎證券股務代理部以匯款或掛號郵寄「禁止背書轉讓」支票方式發放(發放至元，元以下捨去)，匯費及郵資自股東股利款中扣除。若股利金額不足匯款或掛號郵寄支票者，將以平信郵寄支票方式發放，另代扣稅款暨就源扣繳之補充保險費亦自股東之現金股利款中直接扣除。(4)除息基準日：109年08月05日。(5)現金股利發放日期：109年08月11日，以匯款或郵寄支票發放。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站-必富網小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>
力晶科技：代子公司力晶積成電子製造股份有限公司公告金融監 督管理委員會 公開資訊觀測站 2020/6/10
代子公司力晶積成電子製造股份有限公司公告金融監 督管理委員會核准有價證券停止公開發行案 1.事實發生日:109/06/092.發生緣由:(1)子公司力晶積成電子製造股份有限公司(以下簡稱”力積電公司”)業於109年5月27日股東常會決議通過申請停止股票公開發行案。(2)力積電公司依公司法相關規定向金融監督管理委員會申請股票停止公開發行乙案，業經金融監督管理委員會金管證發字第1090346105號函核准在案，自民國109年6月9日起股票停止公開發行。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。 <摘錄公開資訊觀測站>
力積電高階人事異動 公開資訊觀測站 2020/5/28
力晶集團旗下力積電昨（27）日發布高階人事異動，原子公司愛普總經理顧峻下月1日出任力積電記憶體事業群共同總經理，力積電技術長張守仁升任副總經理。愛普總經理由執行長陳文良暫代，持續推動DRAM智財研發、授權等企業轉型重任。 　　力積電表示，這項人事異動是為提升研發動能，展現力積電推進記憶體和邏輯晶圓代工技術，發展系統整合型晶片平台的企圖心，以因應未來5G和物聯網（IoT）系統應用的需求。 　　黃崇仁強調，顧峻是美國耶魯大學應用物理碩士，曾任職於英特爾、賽普拉斯（Cypress）工程部門，2011年出任愛普科技總經理。 　　張守仁是台大電機工程博士，曾在台積電任職超過20年，目前負責力積電先進製程和相關應用技術平台的開發。<摘錄經濟>
力晶科技：代子公司力晶積成電子製造股份有限公司公告董事會 決議，提請股 公開資訊觀測站 2020/3/9
代子公司力晶積成電子製造股份有限公司公告董事會 決議，提請股東常會討論申請停止股票公開發行 1.事實發生日:109/03/092.發生緣由:(1)子公司力晶積成電子製造股份有限公司(以下簡稱”力積電公司”)擬配合本公司以現金以外之財產辦理減資退還股款案，並決定以力積電公司股票抵充應退還之減資股款。(2)鑒於本公司為力積電公司之董事及持有力積電公司股份超過股份總額百分之十之股東，若轉讓其持有股票需依證券交易法第22條之2規定辦理，故若本公司股東同意取得力積電公司股票抵充減資應退還股款者，於受讓前需填寫「公司內部人預定轉讓持股申報書」及檢具特定人之相關證明文件，並經檢視資格，且於受讓日起一年內轉讓本次取得之力積電公司股票時，皆需依證券交易法第22條之2規定向主管機關辦理申報，若違反前述之規定，該受讓之股東將有依證券交易法第178條被處以罰鍰之風險。(3)因本公司現有之股東人數眾多，為保留受讓股東轉讓權益，及避免受讓股東因轉讓未申報而被罰鍰，鑒於整體作業規劃之考量，爰先行申請停止力積電公司股票公開發行，待本公司完成減資換股相關程序後，力積電公司另擇期重新申請補辦公開發行。3.因應措施:(1)力積電公司業經109年03月09日董事會決議通過，擬依公司法第156條之2規定，提請109年股東常會討論決議，俟股東常會通過後，授權董事長依相關規定全權處理向金融監督管理委員會證券期貨局申請停止公開發行。(2)本次辦理申請停止股票公開發行之相關事宜，如經主管機關修正或為因應法令變更因應客觀環境變更而有所修正時，授權董事長全權處理之。4.其他應敘明事項:不適用。<摘錄公開資訊觀測站>
還債近千億元 力積電返上市路 公開資訊觀測站 2019/12/5
力晶2012年因DRAM價格崩跌衝擊，每股淨值變成負數，該年底以每 股0.29元下櫃。力晶自2013年轉型為晶圓代工廠後，營運轉虧為盈， 已連續六年維持獲利，還清近千億元債務。力晶將晶圓廠整合為力積 電，並計劃於2021年重新掛牌上市，亦創下台股新紀錄。 　　力積電董事長黃崇仁表示，近年來台股並沒有大型科技公司掛牌上 市，力積電與主管機關有共識，已申請補辦公開發行，預計明年登錄 興櫃交易，計畫2021年上市。 　　對於近期市況，黃崇仁表示，DRAM今年市況不好影響力積電表現， 但市況已逐步好轉，且CMOS影像感測器市場供不應求，力積電12吋感 測器產能滿載，明年營運會好轉，獲利重返過去水準。 　　力積電也將在竹科的銅鑼園區投資興建12吋晶圓廠，這是銅鑼園區 第一家進駐的半導體製造大廠。力積電新廠不會投入記憶體生產，而 是以邏輯及類比IC的晶圓代工為主，爭取包括電源管理IC或CMOS影像 感測器等訂單。 　　另外，力晶科技集團旗下力積電、愛普科技、智成電子、智慧記憶 科技4日聯合發展Computing in Memory技術平台，展示能提升20倍運 算效能、10倍節能效率的邏輯及記憶體整合技術及單晶片。黃崇仁表 示，此項全球首創的技術，將在人工智慧、物聯網（IoT）、大數據 雲端伺服器等應用領域發揮顯著效益，為台灣科技產業鏈帶來創新動 能。 　　黃崇仁指出，Computing in Memory是個平台，可接受不同客戶的 客製化設計，由力積電負責設計服務及晶圓代工、愛普提供DRAM及矽 智財（IP）、智成負責DRAM及邏輯IC之間的高速傳輸介面設計、智慧 記憶則提供系統及軟體的設計服務。力晶科技集團整合四家公司的強 項，將可協助客戶把AI及IoT概念整合邊緣運算，在5G時代建立新的 產業生態系統及獲利模式。<摘錄工商>
黃崇仁奇想 創獨門武器 公開資訊觀測站 2019/12/5
力晶集團創辦人兼力積電董事長黃崇仁昨（4）日表示，台積電半導體實力很強，因此，論定位和技術能力，力積電在邏輯代工，做不贏台積電，記憶體則做不贏三星、美光，但如果把二者整合卻成了力積電獨門武器。 　　黃崇仁透露，因他不懂技術，提出把中央處理器放入記憶體時，內部工程師都說那幾乎不可能，因為兩項元件製程完全不同，即使要做，良率也是非常、非常低，因此只能由他來承擔這個風險，親自擔任專案計畫主持人，成敗由他扛，否則幾乎沒人敢承接此重任。<摘錄經濟>
力晶Computing in Memory技術平台 問世 公開資訊觀測站 2019/11/28
電腦效能？省電？往往是電腦族心中抉擇時最大矛盾！但力晶Com puting in Memory技術平台卻將此一問題秒解，力晶集團暨力積電董 事長黃崇仁表示，Computing in Memory能將系統運算速度提升20倍 ，也能將節能效率增強10倍，對大數據、雲端伺服器中心，及多樣化 物聯網邊緣運算（edge computing）等在5G新環境運用，都將帶來顯 著創新潛力！ 　　市場預期，一旦Computing in Memory整合技術平台問世，未來可 望對台灣龐大IT產業鏈開拓新的成長空間。鑒於5G商用化將帶動人工 智能、物聯網等新市場起飛，力晶集團旗下力晶積成電子製造（簡稱 力積電）、愛普科技、智成電子以及智慧記憶科技等四家企業，將於 12月4日下午2點，在台北君悅酒店三樓凱悅廳舉辦「Computing inM emory整合技術平台發表會」，向全球業界展示能大幅提升運算效能 、節能效率的IC設計、製造技術與成品，期能從晶片端著手，強化我 國IT產業鏈的創新動能。 　　黃崇仁日前於日本ET ＆ IoT Technology 2019大展中發表專題 演講，透露力積電即將推出新技術，能提升影像神經網路運算10倍處 理效率，讓IC設計業者開發出體積更小單晶片電腦（Single Chip C omputer），進而降低AI、IoT應用服務設備開發成本，引起日本科技 同業不小的熱烈迴響，預期Computing in Memory整合技術平台正式 發表後，將成為科技產業界高度關切焦點。 　　據了解，Computing in Memory大型技術發表會將廣邀國內、外IC 設計、資通訊相關軟硬體廠商研發主管數百人參與，由力積電、愛普 、智成與智慧記憶四家公司高階主管，向業界說明這項全球首見的半 導體整合技術平台。 <摘錄工商>
林百里接掌生策會 呼聲高 公開資訊觀測站 2019/11/14
生策會第六屆理監事昨（13）日完成改選，電子業大舉進入生策會理事會，新任35名理事中電子業老闆占三成左右，其中，廣達董事長林百里獲理事選舉最高票。 該會將於11月26日選出生策會新任會長及三位副會長，目前新會長以林百里呼聲最高，引起生技業關注。 生策會是國內最大民間生技業法人團體，工作為推動產業政策，影響力最大，此次理監事改選投票數為256張（總會員數380人），有效票為240張，投票率達67%，未投票者為124人。理事參選人逾60人，是歷年參選人數最高的一次。尤其多家電子大廠角逐理事，讓產業界頗為意外，月底會長之爭勢必激烈。 理事當選名單中有不少電子業大老，包括廣達董事長林百里、和碩董事長童子賢、可成董事長洪水樹、緯創董事長林憲銘、研華董事長劉克振、瑞昱榮譽董事長葉博任、力晶董事長黃崇仁、佳世達董事長陳其宏等。 最特別的是，還有鴻海集團旗下的康聯生醫董事長吳良襄、美商科高台灣分公司董事長（即Google 台灣）董事總經理簡立峰，以及崇越科技集團的安永生物科技董事長郭智輝等。 在得票數方面，此次投票採「一人一票，最高可複選35人制」，由林百里搶下第一，取得逾200票。其次，同樣拿下200票左右的人選，則包括中研院前院長翁啟惠、台大前校長/生策會代理會長楊泮池、林口長庚紀念醫院院長程文俊、中國醫藥大學附設醫院董事長蔡長海、高雄醫學大學附設中和紀念醫院院長侯明鋒，多為醫界重量級人士。 業界分析，代工廠毛利偏低，醫療產業毛利高，促使科技業近年來積極跨入智慧醫療相關領域，雖然醫療相關產品對代工廠營收貢獻仍偏低，但毛利貢獻度高，也讓國內電子代工廠紛紛跨入。此次生策會改選，除了全面排除政治人物、公職人員外，逾60位電子、醫界與藥業的主要負責人，參與競逐35名理事。
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重要公告
標題 公告類別 日期
力晶科技：代子公司力晶積成電子製造股份有限公司公告 有關108年現金增資股 現金增資 2019/7/22
代子公司力晶積成電子製造股份有限公司公告 有關108年現金增資股票以登錄股票發放及過戶等相關事宜說明 1.事實發生日:108/07/222.發生緣由:子公司力晶積成電子製造股份有限公司公告有關108年現金增資股票以登錄股票發放及過戶等相關事宜說明。3.因應措施:不適用。4.其他應敘明事項:(一)依公司法第161條之2規定及台灣集中保管結算所業務操作辦法：非公開發行　公司及公開發行之未上市（櫃）公司發行之有價證券得向台灣集中保管結算所申請無實體登錄。(二)本次力晶積成電子製造(股)公司108年現金增資股票採無實體登錄，股東如有過戶需要，請於股票發放日（須俟本次增資收足股款基準日並送主管機關變更登記完成後訂定，屆時除另行公告外並分函通知各股東）後洽本公司股務代理人群益金鼎證券股份有限公司股務代理部辦理。(三)辦理過戶應檢附文件：(1)出受讓股東雙方原留印鑑(若已於673申請單蓋妥原留印鑑免附)。(2)新戶印鑑卡及身分證影本(法人檢附變更登記事項卡影本)(舊戶免附)。(3)673登錄專戶持股明細異動申請單。(4)證交稅一般代徵稅額繳款書或完稅證明。*受讓者為未成年股東需加附國稅局支付價款證明及法定代理人父母雙方身分證及印章。*外僑及外國法人檢附主管機關核准函，外國法人加附扣繳單位設立（變更）登記申請書。*未上市櫃股票買賣，應由代徵人於買賣交割之當日，依成交總價額按千分之三代徵稅款，並於代徵次日(買賣交割日二日內)，填寫繳款書向公庫繳納即完成報繳。*證交稅單內有關證券出賣人及買受人姓名、身分證統一編號、地址、買賣證券名稱、營利事業統一編號、股數、每股面額、每股成交價格、成交總價額及應納證券交易稅、是否為二親等勾選等項目，應逐一正確填寫，不可塗改及疏漏。(四)無實體登錄股票轉讓過戶應檢附文件及表單請進入群益金融網站(https://www.capital.com.tw) 下載。(五)請 貴股東檢附相關資料郵寄或臨櫃至群益金鼎證券股務代理部辦理，住址:台北市大安區敦化南路二段97號B2；電話:02-270239999<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：股東會決議通過解除董事競業禁止之限制 股東會 2019/5/31
1.股東會決議日:108/05/312.許可從事競業行為之董事姓名及職稱:(1)董事：黃崇仁先生(2)法人董事：智仁科技開發股份有限公司、仁典投資股份有限公司、智翔投資股份有限公司(3)法人董事代表人：陳瑞隆先生、謝再居先生(4)獨立董事：劉炯朗先生3.許可從事競業行為之項目:依公司法第209條第一項相關規定，董事為自己或他人為屬於公司營業範圍內之行為。4.許可從事競業行為之期間:108/05/31~110/05/235.決議情形（請依公司法第209條說明表決結果）:本案經主席徵詢在場出席股東無異議照案通過。6.所許可之競業行為如屬大陸地區事業之營業者，董事姓名及職稱（非屬大陸地區事業之營業者，以下欄位請輸不適用）:不適用。7.所擔任該大陸地區事業之公司名稱及職務:不適用。8.所擔任該大陸地區事業地址:不適用。9.所擔任該大陸地區事業營業項目:不適用。10.對本公司財務業務之影響程度:無。11.董事如有對該大陸地區事業從事投資者，其投資金額及持股比例:不適用。12.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3130733專 其他 2018/12/28
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3130733專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/023.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 83,5024.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層、多個記憶胞及內連線結構。介電層設置於基底上。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中，且各個記憶胞包括第一電極、第二電極及可變電阻結構。第二電極設置於第一電極上。可變電阻結構設置於第一電極與第二電極之間。在垂直相鄰的兩個記憶胞中，位於上方的記憶胞的第一電極與位於下方的記憶胞的第二電極設置於相鄰的可變電阻結構之間且彼此隔離。內連線結構設置於介電層中且將記憶胞的第一電極進行連接。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3160475專 其他 2018/12/28
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3160475專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體閘極結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/233.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 84,1544.其他應敘明事項:本發明提供一種快閃記憶體閘極結構的製作方法，包含：首先提供一基底，再依序形成一第一絕緣層、一第一導電層和一第二絕緣層覆蓋基底，然後在第一導電層和第二絕緣層內形成至少一第一溝渠，之後形成一第二導電層和一遮罩層覆蓋　第二絕緣層，其中第二導電層填滿第一溝渠，接續形成複數個圖案化遮罩層，接著於各個圖案化遮罩層之兩側各形成一側壁子，最後以圖案化遮罩層與側壁子為遮罩蝕刻第一導電層，直至第一絕緣層曝露出來，以形成一第一閘極結構和一第二閘極結構。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3070168專 其他 2018/12/28
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3070168專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/253.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,0224.其他應敘明事項:一種快閃記憶體，包括堆疊閘極結構、第一摻雜區與第二摻雜區、選擇閘極以及閘介電層。堆疊閘極結構設置於基底上，堆疊閘極結構從基底起依序包括穿隧介電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。第一摻雜區與第二摻雜區分別設置於堆疊閘極結構兩側的基底中。選擇閘極設置於堆疊閘極結構下方的基底中的溝渠內，且選擇閘極鄰近第一摻雜區並與第二摻雜區相距一距離。閘介電層設置於選擇閘極與基底之間。穿隧介電層設置於浮置閘極與選擇閘極之間以及於浮置閘極與基底之間。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 10082820專利 其他 2018/12/28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電源控制電路以及具備電源控制電路的邏輯電路裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/253.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 244,0964.其他應敘明事項:本發明的電源控制電路用於邏輯電路，該邏輯電路對來自記憶部件的多個輸入信號進行規定的邏輯運算，並輸出邏輯運算後的多個輸出信號。電源控制電路包括：開關部件，切換是否將電源電壓供給至邏輯電路；多個檢測器電路，分別檢測多個輸入信號的信號位準的變化，當檢測出信號位準的變化時，分別輸出檢測信號；以及控制電路，基於來自多個檢測器電路的至少一個檢測信號來控制開關部件對邏輯電路供給電源電壓，另一方面，在未從多個檢測器電路輸出檢測信號時，控制開關部件不對邏輯電路供給電源電壓。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 10088753專利 其他 2018/12/28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:影像亮度重配模組及影像亮度重配方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/023.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 179,8684.其他應敘明事項:本發明提供了一種影像亮度重配模組，其包括一開關器、一第一透鏡、一數位微鏡裝置、一第二透鏡以及一第三透鏡。開關器選擇性地允許具一光強度分佈之一第一圖像通過，而第一圖像係由一照明光束通過一光罩所形成。第一圖像藉由通過第一透鏡而被調整尺寸以形成一第二圖像，成像於數位微鏡裝置的表面，並藉由數位微鏡裝置形成具一重配光強度分佈之一第三圖像。第三圖像經數位微鏡裝置輸出至第二透鏡，並藉由通過第二透鏡而被調整尺寸以形成一第四圖像，以及第四圖像藉由通過第三透鏡而被調整尺寸以形成一第五圖像並輸出至影像亮度重配模組外。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 10121848專利 其他 2018/12/28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/063.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 102,9494.其他應敘明事項:一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構，包含有一基底，其中設有一導電區域；一金屬層間介電層，設於基底上；一電容溝渠，貫穿金屬層間介電層，顯露出導電區域；一電容下電極結構，設於電容溝渠內，包括一第一下電極及一第二下電極，其中第一下電極環繞著第二下電極，且第一下電極直接接觸導電區域；一導電支撐底座，位於電容溝渠內，固定並電連接第一下電極及第二下電極的底部；一電容介電層，順形的設置在第一下電極、第二下電極及導電支撐底座的表面上；以及一電容上電極，設置在電容介電層上。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639884專利 其他 2018/12/28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:相移式光罩及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 73,0004.其他應敘明事項:本發明提供一種相移式光罩，用於在曝光製程中轉移一佈局圖。相移式光罩包括一基板與一圖案化相移層。圖案化相移層設置於基板上並具有至少一元件圖案開口與複數個虛設圖案開口，元件圖案開口與虛設圖案開口暴露出基板表面，且虛設圖案開口環設於元件圖案開口的周圍。圖案化相移層具有一預定厚度，使得曝光製程中通過圖案化相移層之曝光光束與通過元件圖案開口或者虛設圖案開口之曝光光束相位差為180度，並且圖案化相移層的光線穿透率為100%。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I645554專利 其他 2018/12/28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:CMOS影像感測器的深溝渠隔離結構及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/12/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,4004.其他應敘明事項:一種CMOS影像感測器的深溝渠隔離結構及其製造方法，所述深溝渠隔離結構包括位於基底中的光感測區之間的多個隔離結構，且每個隔離結構包括第一溝渠隔離結構和第二溝渠隔離結構。第一溝渠隔離結構形成於基底的第一表面內，其中第一溝渠隔離結構包括第一填充層與包覆第一填充層表面的第一介電襯層。第二溝渠隔離結構形成於基底中相對於第一表面的第二表面內，且第二溝渠隔離結構包括第二填充層與包覆第二填充層表面的第二介電襯層，其中第二介電襯層的底面與第一介電襯層的底面直接接觸。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639847專利 其他 2018/12/28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:積體電路晶片及其檢查方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,9004.其他應敘明事項:積體電路晶片及其檢查方法。積體電路晶片的目標電路產生目標信號。積體電路晶片的轉態偵測電路於初始化期間偵測目標信號的轉態，以產生轉態偵測結果。依據轉態偵測結果判斷目標電路的初始化是否正常。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639886專利 其他 2018/12/28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:光罩及光罩承載平台的維護方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 103,2804.其他應敘明事項:本發明提供一種光罩，其可置放於曝光裝置中的光罩承載平台上，此光罩包括一基板以及一反射結構。基板包括一主表面與至少一側壁，且主表面與側壁相接，其中主表面包括一圖案區以及一周邊區，周邊區設置於圖案區的一外側。反射結構至少設置於側壁表面或設置於主表面之周邊區。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I640011專利 其他 2018/12/28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體裝置及對其驗證的錯誤補償方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 52,6004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體裝置及對其驗證的錯誤補償方法。非揮發性記憶體裝置包括記憶體區塊、字元線驅動器、位元線電路以及控制器。記憶體區塊具備多個記憶胞。當對所述記憶胞進行第一程式化處理以及第一驗證處理之後，控制器對所述記憶胞的控制端進行反向讀取，依據預定的程式化數據並藉由所述字元線驅動器以將預定電壓分別施加至所述記憶胞的所述控制端，藉由所述位元線電路以讀取所述記憶胞中的數據，藉由從所述記憶胞中所讀取的所述數據來判斷每個記憶胞的所述數據是否正常。當記憶胞中的特定記憶胞的數據不正常時，控制器對特定記憶胞進行第二程式化處理。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I645405專利 其他 2018/12/28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體記憶裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/12/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 86,9004.其他應敘明事項:半導體記憶裝置，於通常讀出或寫入模式與自動再新模式中進行選擇動作，包括：感測放大器，自記憶元件讀出資料；第1開關元件，於第1期間，在將作為過驅動電壓的第1電源電壓連接於第1電源中間節點後，於第2期間，將作為陣列電壓的第2電源電壓連接於第1電源中間節點；第2開關元件，於感測放大器的驅動時將第4電源電壓連接於感測放大器的第2電源中間節點；第1電容器，連接於過驅動電壓且對過驅動電壓進行充電；第3開關元件，於自動再新模式時導通；及電壓產生部件，產生第3電源電壓並經由第3開關元件與第1電源電壓並聯地施加。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639925專利 其他 2018/12/28
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:統計多維變數而推算生產力的方法、統計多維變數而排程優先順序的方法與統計多維變數進行最佳化配置的方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 152,0004.其他應敘明事項:一種經由統計多維變數而推算出生產力的方法。首先，提供複數個機臺的複數個登錄資料。其次，分別轉譯每個登錄資料，而得到複數個變數與複數個參數。之後，區別每個變數，使得每個變數成為合用變數或捨棄變數其中之一。繼續，統計複數個合用變數，而得到統計合用變數。然後，將統計合用變數，組成統計庫。接著，經由此統計庫推算出生產力。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3092137專 其他 2018/12/28
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3092137專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:止逆閥及防止氣體回沖的系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/283.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 65,1444.其他應敘明事項:一種止逆閥，其包括閥體、多個旋啟式柵門及多個檔塊。閥體具有多個開口。旋啟式柵門設置於閥體上。在旋啟式柵門關閉時，旋啟式柵門封住開口。檔塊設置於閥體上。在旋啟式柵門開啟時，檔塊擋住旋啟式柵門，以限制旋啟式柵門的開啟角度。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3123040專 其他 2018/12/28
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3123040專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/263.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 72,0324.其他應敘明事項:一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構，包含有一基底，其中設有一導電區域；一金屬層間介電層，設於基底上；一電容溝渠，貫穿金屬層間介電層，顯露出導電區域；一電容下電極結構，設於電容溝渠內，包括一第一下電極及一第二下電極，其中第一下電極環繞著第二下電極，且第一下電極直接接觸導電區域；一導電支撐底座，位於電容溝渠內，固定並電連接第一下電極及第二下電極的底部；一電容介電層，順形的設置在第一下電極、第二下電極及導電支撐底座的表面上；以及一電容上電極，設置在電容介電層上。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3159745專 其他 2018/12/28
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3159745專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:自動監控膜厚均勻性的方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/233.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 62,8504.其他應敘明事項:一種自動監控膜厚均勻性的方法。取得多個晶圓之薄膜的膜厚資料，其中各晶圓的膜厚資料包括在多個量測區域上的多個厚度值，並且同一個晶圓的厚度值設定為一膜厚向量。基於各量測區域所獲得的上述厚度值獲得群均值矩陣。依據群均值矩陣與上述膜厚向量，獲得群共變異矩陣。基於量測區域之間的偏離關係，獲得變換矩陣。利用變換矩陣、群均值矩陣以及群共變異矩陣，獲得偏差範圍。基於偏差範圍來監控各晶圓之薄膜的膜厚均勻性。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專 其他 2018/12/28
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:浮置閘極與非揮發性記憶胞的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/263.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,9844.其他應敘明事項:一種浮置閘極的製造方法，包括下列步驟。提供具有多個隔離結構的基底，隔離結構的頂面高於基底的頂面。於基底上形成第一導體層。於第一導體層上形成犧牲層。移除部份犧牲層，而保留隔離結構之間的第一導體層上的犧牲層。以犧牲層為罩幕，移除部份第一導體層，以於相鄰的隔離結構之間形成導體結構。移除犧牲層。於基底上形成第二導體層，第二導體層電性連接導體結構。以及圖案化第二導體層與導體結構，以形成浮置閘極。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125727專 其他 2018/12/28
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125727專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:圖案化方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/263.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 65,8764.其他應敘明事項:一種圖案化方法。提供材料層。於材料層上形成依序包括第一罩幕層與第一光阻層的多個罩幕結構。於材料層上共形地形成覆蓋罩幕結構的第二罩幕層。於罩幕結構間形成第一犧牲層。移除部份第二罩幕層而暴露第一光阻層，以於罩幕結構間形成第一U型罩幕層。移除第一光阻層與第一犧牲層。於材料層上共形地形成具有第一表面與低於第一表面的第二表面的第三罩幕層。於第三罩幕層的第二表面上形成第二犧牲層。移除部份第三罩幕層而暴露第一U型罩幕層的突出部，以形成第二U型罩幕層。以第二U型罩幕層的突出部為罩幕，對材料層圖案化。 <摘錄公開資訊觀測站>
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