低介電材料(Low K)與7nm+之後的製程,使用的EUV光阻,由於材料天性,以電子顯微鏡觀察微結構與成分時,容易因電子束照射導致樣品變形甚至倒塌。汎銓數年前投入開發原子層沉積技術(ALD),在樣品外層形成保護,如同為檢測材料穿上一層盔甲,可真實呈現原貌,避免電子束的照射產生變形,導致誤判、走錯研發方向。
值得注意的是,在5奈米製程以下,除了鰭式場效電晶體(FinFET)架構的製程外,環繞閘極(GAA)的架構者多年前即受到市場關注,先進晶圓廠與國外著名研究機構均投入研發,未來有可能取代FinFET架構。汎銓在GAA架構研發上也沒缺席,與多家客戶合作,藉由汎銓的高品質TEM影像與元素分析,加速客戶研發時程。
Beyond Moore新世代元件方面,為了符合物聯網(IoT)低功耗的需求,半導體晶圓廠也積極開發新型記憶體,除了SRAM、DRAM、NAND及NOR Flash等記憶體外,MRAM、ReRAM、PCRAM等新產品也逐漸成熟;具有低耗能與非揮發性的MRAM,由多層僅數奈米厚度的不同材料堆疊而成,蝕刻後的材料分析藉由汎銓的高品質TEM影像與元素分析,可以加速研發時程。
More than Moore多樣特性元件研發方面,隨著5G商用興起及電動車用電子的強勁需求,GaN與SiC元件深具潛力並深受關注。5G基地台收發高頻訊號需要更大能量密度,適合高頻載波且承受高電流與耐高壓的GaN為最佳材料;SiC功率元件滿足電動車用電子輕量化、小型化與耐超高電壓的需求,製程研發需要MA材料分析,二次離子質譜儀(SIMS)分析也至關重要。去(2019)年第3季汎銓引進SIMS分析,結合原有分析能量,提供高精準空間與濃度解析服務。
封裝廠在More than Moore的發展中也居要角,Moore定律發展到28nm時,先進製程接近物理極限,晶片經濟利潤也無法經微縮得到明顯效應。藉由Integrated Fan-Out、FOWLP、FOPLP與3D異質結合封裝等創新封裝技術,使廣義的摩爾定律得以延續。
汎銓去年建置Thermal、SAT、X-ray、PFIB及nano prober等先進封裝分析設備,擴展全方位分析能量,以FA、MA到SA一站式服務,補足先進封裝分析能力。<摘錄經濟>